半导体物理基础知课件.pptVIP

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  • 2017-02-02 发布于湖北
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1.8少数载流子和多数载流子 在掺有杂质的半导体中,新产生的载流子数量远远超过原来未掺入杂质前载流子的数量,半导体的导电性质主要由占大多数的新产生的载流子来决定,所以,在P型半导体中,空穴是多数载流子,而电子是少数载流子。在N型半导体中,电子是多数载流子,空穴是少数载流子。掺入的杂质越多,多载流子的浓度(单位体积内载流子的数目)越大,则半导体的电阻率越低,它的导电能力越强。 1.9平衡载流子和非平衡载流子 一块半导体材料处于某一均匀的温度中,且不受光照等外界因素的作用,即这块半导体处于平衡状态,此时半导体中的载流子称为平衡态载流子。 半导体一旦受到外界因素作用(如光照,电流注入或其它能量传递形式)时,它内部载流子浓度就多于平衡状态下的载流子浓度。半导体就从平衡状态变为非平衡状态,人们把处于非平衡状态时,比平衡状态载流子增加出来的一部分载流子成为非平衡载流子。 1.10 非平衡载流子的复合及其寿命 当引起非平衡载流子产生的外界因素停止后,非平衡载流子不会永久地存在下去。但也不是一下全部都消失掉,而是随着时间逐渐减少消失的,他们的存在时间有些长些,有些短些,有一个平均的存在时间,这就是我们所说的“非平衡载流子的寿命”。半导体内部和表面的复合作用是使得非平衡载流子逐渐减少直至消失的原因。

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