半导体集成电路复习总结.docVIP

隐埋层杂质的选择原则； ①杂质固溶度大，以使集电极串联电阻降低； ②高温时在硅中的扩散系数要小，以减小外延时隐埋层杂质上推到外延层的距离； ③与硅衬底晶格匹配好，以较小应力 因此最理想的隐埋层杂质是砷（As） 外延层厚度包括哪几个部分，公式里的四项分别指什么？ 延层厚度应满足 TepiXjc+Xmc+TBL-up+Tepi-ox 集区扩散结深Xjc 、集电极耗尽区宽度Xmc、埋层扩散上推距离TBL-up和为外延淀积后各道工序生成的氧化层所消耗的外延层的厚度tepi-ox; 双极集成电路工艺中的七次光刻和四次扩散分别指什么？ 七次光刻：N+隐埋层扩散孔光刻； P+隔离扩散孔光刻；P型基区扩散孔光刻；N+发射区扩散孔光刻；引线接触孔光刻；金属化内连线光刻；压焊块光刻； 四次扩散：隐埋层扩散；P型隔离扩散；P型基区扩散；N+发射区扩散； 集成和分立的双极型晶体管结构上有何区别？ 在pn结隔离工艺中，典型NPN集成晶体管的结构是四层三结构，（NPN管高浓度N型扩散发射区，NPN管P型扩散基区，n型外延层（PNP管集电极），p型衬底 EB结BC结CS结）而分立的是三层二结结构 扩散电阻最小条宽的确定原则；（P58） ①设计规则决定的最小扩散条宽Wmin ②工艺水平和电阻精度要求所决定的最小电阻条宽Wr，min ③流经电阻的最大电流决定Wr，min 分析了对电阻最小条宽的三种限制，在设计扩散电阻的最小条宽时应取其中最大的一个 SBD与普通二极管的相比，有哪些特点？ ①SDB的正向导通压降Uth小; ②小注入时SDB是多子导电器件，改变电压时，响应速度快； ③SBD的反向饱和电流Ids大; ④SDB正向电压温度系数小； 集成电阻器和电容器的优缺点；（P55） 优点：元件间的匹配及温度跟踪好 缺点：①精度低，绝对误差大； ③可制作范围有限，不能太大，也不能太小； ②温度系数较大； ④占用的芯片面积大，成本高； 11、横向PNP管的直流电流放大倍数小的原因；(P31-34) ①存在纵向PNP的影响 A.在图形设计上减少发射区面积与周长之比 B在工艺上可采用增大结深及采用埋层工艺等方法 ②横向PNP管本身结构上的限制 A.其横向平均基区宽度不可能做得太小 B.发射极注入效率低 C.表面复合影响大 12、减小NPN晶体管中的集电极串联电阻rCS的方法；（P24） ①在工艺设计上，采用加埋层的方法以减小rcs ，在满足工作电压要求情况下减小外延层电阻率和厚度，采用深N+集电极接触扩散以减小rcs。 ②在版图设计上，电极顺序采用BEC排列来减小LEC ，以减小rc2 ，采用双集电极或马蹄形集电极图形减小rc2，但芯片面积及寄生电容增大了。 13、衬底PNP的特点；（P37） ①纵向PNP管的C区为整个电路的公共衬底，直流接最负电位，交流接地。适用范围有限，只能用作集电极接最负电位的射极跟随器。 ②晶体管作用发生在纵向，各结面较平坦，发射区面积可以做得较大，工作电流比横向PNP大。 ③ 因为衬底作集电区，所以不存在有源寄生效应，故可以不用埋层。 ④外延层作基区，基区宽度较大，且硼扩散p 型发射区的方块电阻较大，因此基区输运系数和发射效率较低，电流增益较低。 ⑤由于一般外延层电阻率ρepi较大，使基区串联电阻较大。 14、集成二极管中最常用的是哪两种，具体什么特点？（P40） ①集成齐纳二极管：反向工作的BC短接二极管，没有寄生PNP效应，且储存时间最短，正向压降低； ②次表面齐纳管：单独BC结二极管，不需要发射结，面积可以做得很小，结电容小，开关时间短，正向压降也很低，且击穿电压高 15、SCT的工作特点？（P43） （1）当SCT工作于正向工作区或截止区时，有（VBE0 VBC0或VBE0 VBC0）SBD处于反偏状态，可以忽略其作用，此时SCT相当于一般的NPN管 （2）当SCT工作于反向工作区或饱和区时，VBC0，此时又可分为两种情况： ①VBC小于SBD的导通压降，SBD仍未导通，所以IB，=IB。 ②VBC大于SBD的导通压降，于是SBD导通，IB被分流，晶体管的VBC被钳位0.45V 16、MOS集成电路工艺中提高场开启电压的方法？（P46） ①加厚场氧化层的初始厚度，并严格控制随后加工中的腐蚀量。 ②在场区注入（或扩散）与衬底同型的杂质，以提高衬底表面浓度，但掺入杂质要适当。 CMOS反相器设计采用两种准则： ①对称波形设计准则； ②准对称波形准则。 3．饱和E/E自举反相器的输出高电平比电源电压低一个开启电压；耗尽负载反相器，负载管为耗尽型MOSFET，其栅源短接。 4.有比反相器和无比反相器（P119） ①有比反相器在输出低电平时，驱