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电压敏感材料 电压敏感材料（压敏材料）是指材料的电阻值随加于其上的电压不同而显著变化的非欧姆性材料。当加载在材料的端电压小于某个临界值时，材料的电阻率很大，流过材料的电流非常小；当端电压达到临界值时，材料的电阻率随端电压的增大而急剧减小，流过材料的电流急剧增大，这个端电压临界值叫阈值。用这类材料制成的电阻器叫压敏电阻器，又叫非线性电阻器。 1929～1930年，美国和德国几乎同时用碳化硅压敏材料制成高压避雷器。40年代末，苏联制成低压碳化硅压敏电阻器。1968年日本研制出氧化锌压敏材料。这种材料具有比其他材料更为优异的电气性能，至今仍获得广泛应用。其他金属氧化物Fe2O3、TiO等压敏电阻器也得到发展。 压敏材料包括硅、锗等单晶半导体以及SiC、ZnO、BaTiO3、Fe2O3、SnO2、SrTiO3等压敏陶瓷材料。其中，BaTiO3、Fe2O3利用的是电极与烧结体界面的非欧姆特性，而SiC、ZnO、SrTiO3利用的是晶界非欧姆特性。目前，应用最广、性能最好的是氧化锌压敏半导体陶瓷。 压敏半导体陶瓷的基本特性：在某一临界电压以下，压敏电阻陶瓷电阻值非常高，几乎没有电流；但当超过这一临界电压时，电阻将急剧变化，并且有电流流过。随着电压的少许增加，电流会很快增大。 压敏电阻陶瓷的这种电流-电压特性曲线如图所示： 1.齐钠二极管； 2.SiC压敏电阻； 3.ZnO压敏电阻； 4.线性电阻； 5.ZnO压敏电阻。 压敏电阻的I-U特性曲线 由图可见，压敏电阻陶瓷的I-U特性不是一条直线，其电阻值在一定电流范围内呈非线性变化。 表征压敏电阻的特性主要参数有非线性系数、压敏电压、漏电流、通流容量和电压温度系数。 非线性系数α 压敏电阻的I-U关系的经验公式为： 式中α即为非线性系数。α的值越大，非线性越强。式中的C为材料常数，其值在一定电流范围内为一常数。 压敏电压U1mA 压敏电压是指当压敏电阻的端电压值大于该电压时，压敏电阻进入高α值的I-U特性区，即击穿区。一般情况下，把通过1mA电流时压敏电阻器的端电压作为压敏电阻器的压敏电压，又称标称电压。 漏电流 压敏电阻器在进入击穿区之前工作时，流过压敏电阻器的电流为漏电流。它是描述预击穿区I-U特性的参数。漏电流的大小与电压、温度有关。 通流容量 压敏电阻器经过长期的交、直流负荷或高浪涌电流的冲击，I-U特性变坏，使预击穿区的I-U特性曲线向高电流方向移动，因而导致漏电流上升，压敏电压下降。这种现象称为压敏电阻器的蜕变。通常以U1mA下降的多少来衡量压敏电阻器耐高浪涌冲击的能力，满足U1mA下降要求的压敏电阻器所能承受的最大冲击电流叫做压敏电阻器的通流容量，又称通流能力或通流量。 电压温度系数 压敏电压随着温度的上升而下降，在规定的温度范围内，把温度每变化1K（1℃）时，零功率条件下测得的压敏电压的相对变化率，称为压敏电阻器的电压温度系数（αU），用公式表示为： 式中,U1为室温下的压敏电压（V），U2为极限使用温度下的压敏电压（V），T1为室温（K），T2为极限使用温度（K）。 ZnO系压敏电阻器的导电机理 ZnO系压敏电阻陶瓷是压敏电阻陶瓷中性能最优的一种材料。其主要成分是ZnO，并添加Bi2O3、CoO、MnO、Cr2O3、Sb2O3、TiO2、SiO2、PbO等氧化物经改性烧结而成。掺杂的氧化物偏析在ZnO晶界上形成阻挡层，起到了提高晶界区阻挡层电势的作用，在低电场时，由于它的阻挡，电阻率较高。当外加电压高达击穿电压时，界面中的电子穿透势垒层，引起电流急剧上升。 氧化锌压敏电阻器的微观结构如图1所示其中氧化锌晶粒中掺有施主杂质而呈N型半导体，晶界物质中含有大量金属氧化物形成大量界面态，这样每一微观单元是一个背靠背肖特基势垒，整个陶瓷就是由许多背靠背肖特基垫垒串并联的组合体。图2是压敏电阻器的等效电路。 氧化锌压敏电阻器的典型特性曲线如图3所示： 预击穿区：在此区域内，施加于压敏电阻器两端的电压小于其压敏电压，其导电属于热激发电子电导机理。因此，压敏电阻器相当于一个10MΩ以上的绝缘电阻(Rb远大于Rg)，这时通过压敏电阻器的阻性电流仅为微安级，可看作为开路。该区域是电路正常运行时压敏电阻器所处的状态。 击穿区：压敏电阻器两端施加一大于压敏电压的过电压时，其导电属于隧道击穿电子电导机理(Rb与Rg相当)，其伏安特性呈优异的非线性电导特性在击穿区，压敏电阻器端电压的微小变化就可引起电流的急剧变化，压敏电阻器正是用这一特性来抑制过电压幅值和吸收或对地释放过电压引起的浪涌能量。 上升区：当过电压很大，使得通过压敏电阻器的电流大于约100A/cm2时，压敏电阻器的伏安特性主要由晶粒电阻的伏安特性来决定。此时压敏电阻器的伏安特性呈线性电导特性，即 ???????