LED基本作原理.doc

LED部分基本工作原理 1 LED的原理概述 发光二极管主要由 PN 结芯片、电极和光学系统组成。其发光体--晶片的尺寸一般为 2..13.14mil （1mil=0.0254 毫米），目前市面上晶片尺寸越来越大,超过40mil。其发光过程包括三部分：正向偏压下的载流子注入、复合辐射和光能传输。当电子经过该晶片时，带负电的电子移动到带正电的空穴区域并与之复合，电子和空穴消失的同时产生光子。电子和空穴之间的能量（带隙）越大，产生的光子的能量就越高。光子的能量反过来与光的颜色对应，可见光的频谱范围内，蓝色光、紫色光携带的能量最多，桔色光、红色光携带的能量最少。由于不同的材料具有不同的带隙，从而能够发出不同颜色的光。 2 发光二极管的伏安特性 顺向电压(VF)v.s.顺向电流(IF); 逆向电压(VR)v.s.逆向电流(IR); LED是电流驱动元件,非电压驱动元件; 测试时,VR =5V时,IR 10μA也就是说:IR =10μA时, VR5V; 电流从正极PIN脚流入，经金线流至芯片正极（P极），再流至芯片P/N结，从而激发芯片发光（芯片为P/N结处发光），再流至N结，至杯底后经短脚流出，而形成一完整的封闭电路 通常芯片设计时考虑其正常工作电流为20mA，因此，使用发光二极管及生产测试时，通过发光二极管的电流均为20mA，此电流称为正向电流（If）。 伏安特性曲线图 LED光电特性参数 1 、三要素 LED的VF,IV,λd(x,y)称为其光电特性三要素; IV是指在一定正向电流下的亮度; λd是指其主波长;波长决定了发光的颜色。X,Y是指在CIE光谙图中色度坐标系统中的坐标值。可見光的波段从紫光(約?380nm?)到紅光(770nm?)??????? 不可見光的波長 紅外線長於?770nm 紫外線短於?380nm。 VF顺向电压 ,一般： 红、黄、黄绿，VF值在1.8-2.3V蓝、绿、紫，VF值在2。8-3.6V之间。 2、IF顺向电流 IF 值通常为 20mA 被设为一个测试条件和常亮时的一个标准电流. IF 增大时 LAMP 的颜色、亮度、 VF 特性及工作温度均会受到影响，它是正常工作时的一个先决条件， IF 值增大：寿命缩短、 VF 值增大、波长偏低、温度上升、亮度增大、角度不变. 3、.VR反向电压 由于 LAMP 是二极管具有单向导电特性 ，反向通电时反向电流为 0 ，而反向电压高到一定程度时会把二极管击穿，刚好能把二极管击穿的电压称为反向崩溃电压，可以用“ VR ”来表示。VR 特性： 1 ＞ VR 是衡量 P/N 结反向耐压特性，当然 VR 赿高赿好； R Y YG O VR可以做到20-40V红、黄、黄绿等四元晶片反向电压可做到 15 － 20V。 B PG可以做到5V以上. 2 IR（反向加电压时流过的电流） 特性： ① IR 是反映二极管的反向特性， IR 值太大说明 P/N 结特性不好，快被击穿； IR 值太小或为 0 说明二极管的反向很好；IR一般要求是10ūA以下。 ②通常 IR 值较大时 VR 值相对会小， IR 值较小时 VR 值相对会大； ③ IR 的大小与晶片本身和封装制程均有关系，制程主要体现在银胶过 多或侧面沾胶，双线材料焊线时焊偏，静电亦会造成反向击穿，使 IR 增 大。 4、IV（LAMP的发光强度，称为亮度） 指 LAMP 有流过电流时的光强，单位一般用毫烛光（ mcd ）来衡量，1000mcd=1cd由于一批晶片做出的 LAMP 光强均不相同，封装厂商会将其按不同的等级分类，分为低、中、高等多个等级，而 LAMP 的价格也与其亮度大小有关系。同一亮度 LAMP 顺向电流越大，亮度越高。亮度还跟角度有关系，同样物料角度越大亮度越低，角度越小，亮度越高，所以要求亮度的同时要考虑到角度的大小. 5、光通量 (Luminous flux,Φ) 指光源每秒钟所发出的量之总和, 单位为：流明 (lumen, lm)一般钨丝灯泡的发光效率在6 - 2 5 L m / w之间，日光灯的发光效率在45-95Lm/w之间。 目前LED超过100LM/W.， 6、照度 (illuminance)单位勒克斯?(Lux,?lx) 照度是光通量与被照面之比值。1 lumen之光通量均匀分布在面积为一平方米之区域。 照度(Luminosity)指物体被照亮的程度，采用单位面积所接受的光通量来表示，表示单位为勒[克斯](Lux,lx) ，即 1m ／ m2 。 1 勒[克斯]等于 1 流[明](lumen,lm)的光通量均匀分布于 1m2 面积上的光照度。照度是以垂直面所接受的光通量为标准，若倾斜照射则照度下降。 7、W/D（主波长，单位是nm，纳米） LAMP