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电磁兼容设计黄维老师 平时（30%）+考试（70%）填空（共40分）+简答（4个）+论述（2个共35分）基本概念1).EMD和EMI的概念、区别、联系：电磁骚扰EMD：任何可能引起装置、设备或系统性能降级或对生命或无生命物质产生作用的电磁现象。电磁干扰EMI：电磁骚扰引起的设备、传输通道或系统性能的下降。EMD和EMI差别：EMD是一种电磁现象，客观存在的物理现象。EMI是骚扰引起的一种结果。电磁干扰——传导耦合1).电磁干扰分类：传导耦合干扰：通过导体的引导来传输电磁能量。辐射耦合干扰：通过空间以辐射形式来传输电磁能量。2).传导耦合干扰分为：电路性传导耦合干扰（也称共阻抗耦合）电容耦合干扰电感耦合干扰3).什么时候选用哪种参数模型？低频域传输线路的条件：低频域是指传输线路的几何长度l远远小于工作波长λ，即l λ。因而对一般模拟电路来说，它可作为集中参数来处理。高频域的分布参数电路：当线路的几何长度l大致与工作波长λ可比拟时，线路上的分布参数对电流、电压的影响很大，线路应看作为分布参数电路。（线路的特性主要决定于分布参数L（分布电感）、C（分布电容）、G（分布电导）及R（分布电阻）。）电磁干扰——辐射耦合1).电磁辐射概念：电磁能量向远处传播而不再返回能源的现象叫电磁辐射。辐射的直接原因（条件）：变化的电场和变化的磁场的相互转化。2).什么是电基本振子、磁基本振子？电基本振子：指一段载有高频电流的短导线。短，是指其长度远小于所辐射的电磁波的工作波长，导线上各点电流的振幅和相位可视为相同。也称为电流元。磁基本振子：指一个半径为a的细导线小圆环，当此圆环的周长小于波长时，可以认为流过圆环的电流振幅和相位处处相同。也叫电流环。3).远场区：kr1近场区：kr1（其中，为传播常数，r为距离）4).电流元在远场区的电磁场分布特点（重要）：a). 场矢量的方向。电场只有分量，磁场只有分量与波的传播方向相互垂直，是横电磁波。b). 场的相位。电场和磁场均存在一个相位因子，空间中的相位是距离r的函数，随距离的增加而滞后，等相位面是r的球面，因此是球面波。c). 场的振幅。与距离r成反比，与电流I成正比，与电长度成正比。d). 场的方向性。电流元的辐射具有方向性，是天线的一个主要特征。5).电流环在远场区的电磁场分布特点（重要）：a). 场矢量的方向。电场只有分量，磁场只有分量，且与波的传播方向相互垂直，是横电磁波。b). 场的相位。电场和磁场均存在一个相位因子，远区辐射场是球面波。c). 场的振幅。与距离r成反比，与电流I成正比，与电长度成正比。d). 场的方向性。电流环的辐射具有方向性，是天线的一个主要特征。6).电流元在近场区的电磁场分布特点（重点）：近区的电场和磁场存在 的相位差，可见，近区的电磁场不向外辐射能量（为什么？），电磁能量被束缚在电流元周围，又称为束缚场和感应场。坡印廷矢量：电磁场的能流密度矢量，S=ExH，S的方向即电磁波传播方向。7).波阻抗：空间某处的电场和磁场的横向分量的比值称为媒质的波阻抗。符号为。波阻抗常常是复数，即。8).远场区：电流元和电流环的波阻抗分别为：近场区：电流元的波阻抗：电流环的波阻抗：8).波阻抗结论：a).在远区，电、磁基本振子的波阻抗均趋于媒质的波阻抗。b).在近区，电基本振子的波阻抗大于媒质的波阻抗，它产生的近区场中电场占优势，因此，在电磁兼容工程中，简单地称电基本振子的骚扰源，模型为电场骚扰源；磁基本振子的波阻抗小于媒质的波阻抗，它产生的近区场中磁场占优势，在电磁兼容性工程中，简单地将其称为磁场骚扰源。c).在近场中，波阻抗取决于源的性质和源到观察点的距离。如果源具有高电流、低电压的特性，那么近场中占优势的场是??（磁场）。相反地，如果源具有低电流、高电压的特性，那么近场中占优势的场是??（电场）。电磁屏蔽1).概念：抑制以场的形式造成干扰的有效方法是电磁屏蔽。电磁屏蔽的作用原理：利用屏蔽体对电磁能流的反射、吸收和引导作用2).屏蔽体的有效性用屏蔽效能来度量。屏蔽效能:dB3).吸收损耗：电磁波在屏蔽材料中传播时，会有一部分能量转换成热量，导致电磁能量损失，损失的这部分能量称为屏蔽材料的吸收损耗。趋肤深度：电磁波衰减为原始强度的1/e时所传播的距离为趋肤深度。 = 0.066/()1/2其中，f = 入射电磁波的频率（MHz）， = 相对磁导率， =相对电导率吸收损耗A为：4).反射损耗：当电磁波入射到不同媒质的分界面时，就会发生反射，使穿过界面的电磁能量减弱。由于反射现象而造成的电磁能量损失称为反射损耗。反射损耗R为：其中，为电磁波的波阻抗，远场：377Ω，近场：取决于源的阻抗，为屏蔽材料的特征阻抗。不同电梯波的反射损耗：电场：磁场：其中，为屏蔽体阻抗，D为屏蔽体到源的距离（m）,f