第三章 电子电路.ppt

第3章 场效应管及其基本放大电路 3.1 绝缘栅型场效应管 3.2 场效应管放大电路 目前应用最广泛的绝缘栅型场效应管是以二氧化硅作为金属和半导体之间的绝缘层，由于这种绝缘栅型场效应管是金属-氧化物-半导体组成的，所以称为MOSFET 3.1.1 N沟道增强型场效应管 2.工作原理 4.转移特性曲线— VGS对ID的控制特性 增强型MOS管特性小结 3.1.2 N沟道耗尽型MOS管 耗尽型MOSFET的特性曲线 3.1.3 场效应三极管的参数 4. 输入电阻RGS 双极型三极管与场效应三极管的比较 3.2 场效应管放大电路 2.动态分析 * * 场效应管 场效应管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件，靠一种载流子导电、用输入电压控制输出电流。从参与导电的载流子来划分，它有自由电子导电的N沟道器件和空穴导电的P沟道器件。 按照场效应三极管的结构划分，有结型场效应管和绝缘栅型场效应管两大类。 绝缘栅型场效应管Metal Oxide Semiconductor —— MOSFET 分为 增强型 ? N沟道、P沟道 耗尽型 ? N沟道、P沟道 增强型： 没有导电