第二章化合物半导体材料与器件基础.ppt

2.1 半导体材料的分类 2.1 半导体材料的分类 室温下的电导率在103-10-8S/cm（或电阻率10-3～108Ωcm） 电导率呈正温度特性（金属呈负温度特性） 两种载流子参与导电（金属只有一种） 2.1 半导体材料的分类 温度升高使半导体导电能力增强，电阻率下降 如室温附近的纯硅(Si)，温度每增加8℃，电阻率相应地降低50%左右 微量杂质含量可以显著改变半导体的导电能力 以纯硅中每100万个硅原子掺进一个Ⅴ族杂质（比如磷）为例，这时 硅的纯度仍高达99.9999%，但电阻率在室温下却由大约214,000Ωcm降至0.2Ωcm以下 适当波长的光照可以改变半导体的导电能力 如在绝缘衬底上制备的硫化镉(CdS)薄膜，无光照时的暗电阻为几十MΩ，当受光照后电阻值可以下降为几十KΩ 此外，半导体的导电能力还随电场、磁场等的作用而改变 * 化合物半导体器件 化合物半导体器件Compound Semiconductor Devices微电子学院戴显英2010.5 第二章 化合物半导体材料 与器件基础 半导体材料的分类 化合物半导体材料的基本特性 2.1 半导体的分类 绝缘体（1018-1010Ωcm），半导体（108-10-3Ωcm），金属（10-4-10-8Ωcm） 绝缘体（禁带宽