结型场效应管及其放大电路.pptxVIP

第八章：场效应管一、场效应管概述二、结型场效应管结构与原理三、结型场效应管放大器四、MOS场效应管介绍JFET结型FETN沟道（耗尽型）场效应管P沟道N沟道增强型MOSFETP沟道(IGFET)N沟道耗尽型绝缘栅型P沟道一、场效应管概述1、分类：PMOS、NMOS、CMOS、VMOS、最新的πMOS JFET (Junction Field Effect Transistor)IGFET（Insulated Gate Field Effect Transistor）MOS（Metal Oxide Semiconductor）vGS=0，iD=0，为增强型管；vGS=0，iD?0，为耗尽型管（有初始沟道）。一、场效应管概述2、符号：一、场效应管概述3、场效应三极管的型号命名方法 ：现行有两种命名方法第一种命名方法：与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如：3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。第二种命名方法：CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如：CS14A、CS45G等 一、场效应管概述4、场效应管的测试1、结型场效应管的管脚识别：　场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分