模拟电子技术I考试试卷(A)卷.docVIP

说明：所有答案请答在规定的答题纸或答题卡上，答在本试卷册上的无效。 一、判断题（本题总计10分，每小题1分） (说明：正确用“√”表示，错误用“×”表示) 1、对纯净的半导体掺入受主杂质或施主杂质，便可制成P型或N型半导体（ ） 2、稳压管的稳压区是其工作在反向击穿（ ） 3、对于NPN型硅管晶体放大电路处于饱和区时发射结和集电结均正偏，且VBE=0.7V，VCE=0.3V（ ） 4、放大电路Q点设置过低，将产生截止失真；反之，若Q点设置过高，将引起饱和失真（ ） 5、直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响，而阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立（ ） 6、集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以减小温漂（ ） 7、放大电路在低频作用时放大倍数下降的原因是耦合电容和旁路电容的存在（ ） 8、若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈（ ） 9、在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地（ ） 10、直流电源是一种将正弦信号转换为直流信号的波形变换电路（ ） 二、选择题（本题总计10分，每小题1分） 1、数载流子是空穴的半导体是（ ） A、 本征半导体中掺入三价元素是P型半导体 B、本征半导体中掺入三价元素是N型半导体 C、本征半导体中掺入五价元素是P型半导体 D、本征半导体中掺入五价元素是N型半导体 2、如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压）则（ ） A、 阻挡层不变，反向电流基本不变 B、阻挡层变厚，反向电流基本不变 C、 阻挡层变窄，反向电流增大 D、阻挡层变厚，反向电流减小 3、（ ） A、 B、 C、D、 4、（ ）、 6、（ ）、（ ）负反馈 A、 B、、 D、、直流稳压电源中滤波电路的目的是（ ） A、将交流变为直流 B、将高频变为低频 C、将交直流混合量中的交流成分滤掉 、（ ）A、B、C、、 图1 图2 10、（ ） A、B、 C、、 三、分析题（本题总计10分，每小题5分） 1、放大电路中，测得三极管三个电极电位U1= V，U2= 2.3V，U3= 15V，请判断它们是NPN型还是PNP，是硅管还是锗管，并确定eb，c? 2、用万用表测得三极管的管压降为UBE= 0VUCE= －5V，请说明管子是NPN还是PNP，是硅管还是锗管，并说明它们工作什么区域? 1、请说明下列图和图中的电路能否正常放大，并说明理由?2、简述放大电路组成基本原则是什么?1、=2kΩ，二极管导通电压UD＝0.7V=6sinωt V 时，（1）请写出u0的表达式；（6分）（2）画出输出u0的波形并标出幅值。（4分） 图5 六、计算题（本题总计40分，每小题10分） 1、如图所示，已知R，R，R，R，R ，C1，C2，C，Vcc均已知，晶体管β，rbe，BEQ均已知，请分别求解下列各问题：(仅列出公式和步骤即可，不需要计算具体值1）试估算电路的静态工作点；试画出图；电路电压放大倍数Au，输入电阻Ri，输出电阻Ro 图6 2、 图7 3、如图所示，请分别求解下列各问题： 1）T1和T2管分别组成哪种基本接法的放大电路； （2）写出反馈组态；3）写出；写出耦合方式 图8 4、一串联型稳压电路如图9所示。已知集成运放的AV 1，稳压管的Vz ＝6V，R1＝R2＝R3＝300Ω，负载RL＝150Ω。 （1）说明电路中调整管、基准电压电路、比较放大电路、采样电路四部分电路各由哪些元件组成。（4分） （2）在电路图中标出集成运放的同相输入端和反相输入端。（2分） （3）求该稳压电路输出电压的调整范围。（4分） 图9 七、设计题（本题总计10分） 试利用集成运算放大器设计一个运算电路，要求输出电压和输入电压的运算关系式为：。（要求：使用单运放，且反馈电阻） - 3 -