05章-硅外延生长概要.pptVIP

晶格点阵的失配会使外延片呈现弯曲。当弯曲程度超过弹性范围，为缓和内应力就会出现位错，称之为失配位错。 为了消除应力，采用应力补偿法，即在外延或扩散时，同时引入两种杂质，使它们产生的应变正好相反。当两种杂质原子掺入的比例适当时，可以使应力相互得到补偿，减少或避免晶格畸变。从而消除失配位错的产生。这种方法称为“双掺杂技术”。 5-6 硅的异质外延 随着大规模、超大规模集成电路的进展，外延技术的应用越来越广泛，除了在硅衬底上进行硅的同质外延之外，还发展了在蓝宝石、尖晶石衬底上进行硅的“SOS”外延生长和在绝缘衬底上进行硅的“SOI”异质外延。 5-6-1 SOS技术 SOS是“Silicon on Sapphire”和“Silicon On Spinel”的缩写，也就是在蓝宝石或尖晶石衬底上外延生长硅。 蓝宝石(α-Al203)和尖晶石(MgO·Al203)是良好的绝缘体，以它们为衬底外延生长硅制做集成电路，可以消除集成电路元器件之间的相互作用，不但能减少漏电流和寄生电容，增强抗辐射能力和降低功耗，还可以提高集成度和实现双层布线，是大规模、超大规模集成电路的理想材料。 1．衬底材料的选择 在选择异质外延衬底材料时，首先要考虑的是外延层与衬底材料之间的相容性。其中晶体结构、熔点、蒸气压、热膨胀系数等对外延层的质量影响很大，其次还必须考虑衬底对外延层的沾污问题。目前，作为硅外延的异质衬底最合适的材料是蓝宝石和尖晶石。 另一方面，衬底和外延层的热膨胀系数相近是得到优良异质外延层的重要因素之一。如果相差较大，在温度变化时会在界面附近产生较大的应力，使外延层缺陷增多，甚至翘曲，从而影响材料和器件的性能及热稳定性。 从晶格匹配、热匹配、减少自掺杂和电容效应等方面来考虑，尖晶石是比蓝宝石更好的衬底材料。 然而，尖晶石上硅外延层的性质强烈地依赖于衬底组分，而其组分又因制备方法和工艺条件不同而异。 因此，虽然在尖晶石衬底上可以得到优于蓝宝石衬底上的硅外延层，但由于再现性差，加上蓝宝石的热导率高，制备工艺比较成熟，所以当前工业生产上广泛使用蓝宝石做硅外延衬底。 SOS外延生长的设备和基本工艺过程与一般硅同质外延相同。衬底的切磨抛及清洗也大体相同，只是蓝宝石比硅硬，磨、抛时间要长一些。 SOS外延生长时，值得注意的是自掺杂效应比较严重，因为在外延生长的条件下，衬底表面将发生如下反应： Al2O3 (s) +2HCl (g) +2H2 (g) =2AlCL3↑ (g) +3H2O (g) 低价铝的氯化物是气态，它使衬底被腐蚀，导致外延层产生缺陷。 另外，H2和淀积的硅也会腐蚀衬底，其反应为： 2H2 (g) + Al2O3 (s) = Al2O↑ (g) + 2H2O (g) 5Si (s) + Al2O3 (s) = Al2O↑ (g) + 5SiO ↑ (g) + 2Al (s) 在衬底表面尚未被Si完全覆盖(至少外延层长到10-20nm)之前，上述腐蚀反应都在进行。在衬底表面被覆盖之后，这些腐蚀反应还会在衬底背面发生。造成Al、O等沾污。此外，由于衬底表面被腐蚀，会增加外延层中的缺陷，甚至局部长成多晶。因为SiCl4对衬底的腐蚀大于SiH4，所以SOS外延生长，采用SiH4热分解法更为有利。 为了解决生长和腐蚀的矛盾，可采用双速率生长和两步外延等外延生长方法。 双速率生长法是先用高的生长速率(1-2μm／min)，迅速将衬底表面覆盖(生长100-200nm)。然后，再以低的生长速率(约0.3 μm／min)长到所需求的厚度。 两步外延法是综合利用SiH4/H2和SiCl4/H2两个体系的优点。即第一步用SiH4/H2体系迅速覆盖衬底表面，然后第二步再用SiCl4/H2体系接着生长到所要求的厚度。 SOS外延生长缺点 缺点：1）由于晶格失配（尖晶石为立方结构，蓝宝石为六角晶系）问题和自掺杂效应，外延质量缺陷多，但厚度增加，缺陷减小。2）成本高，一般作低功耗器件，近来用SOI代替，可降低成本。 需要解决的问题: 提高SOS外延层的晶体完整性,降低自掺杂,使其性能接近同质硅外延层的水平并且有良好的热稳定性 SOI技术 SOI技术是IBM公司首先开发成功的芯片制造技术 在1998年研制成功， 于2000年正式应用于其PowerPC RS64IV芯片上的半导体制造技术。 SOI硅绝缘技术是指在半导体的绝缘层（如二氧化硅）上，通过特殊工艺，再附着非常薄的一层硅，在这层SOI层之上再制造电子设备。 此工艺可以使晶体管的充放电速度大大加快，提高数字电路的开关 速度。SOI与传统的半导体生产工艺（一般称为bulk CMOS）相比可使CPU的性能提高性