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- 2017-02-05 发布于河南
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上海工程技术大学微机原理与接口技术复习题5.3 主存储器操及存储控制
1. 主存储器的主要技术指标(即性能指标)
指标 存储量 速度 可靠性 存取时间 存储周期 指标含义 存储可容纳的二进制信息量 启动一次存储器操作到完成操作所需要的时间。
| | 连续启动两次独立的存储操作所需间隔的最小时间。
| |
平均故障间隔时间
(MTBF) 存取时间 略小于 存储周期
注意
区别 CPU的最大容量
=可利用的内存最大容量
=CPU的对内存寻址空间
(由CPU的地址位数n决定即寻址空间为) 计算机系统的实际容量
=存储容量
(指系统具体安装了的内存所容纳的二进制信息量,即字节个数)
2. 主存储器的基本操作 (图/P108)
·将主存储器中一个数据送入CPU
·CPU将数据送出到存储器
3. 主存储器的基本组成(介绍MOS型器件构成的RAM)
存储体 外围电路 存储体,基本存储单元电路
图 P109 地址译码器 I/O电路 片选控制端 集电极开路或三态输出缓冲器。预充,刷新电路
静态RAM
构
成
六管静态基本存储单元电路:
·交叉耦合双隐态触发器
4个MOS管组成:
放大管——T1、T2、
负载管——T3、T4
· 2个MOS管组成控制管:
控制管——T5、T6
· 代表0或1 两种地址译码方式:
·单译码方式。
n条地址线输入经全译码有个输出,用于选择个字
·复合译码方式。
把n条地址线分成接近相等的两段,分别经译码后产生X行地址选择线和Y行地址选择线。然后在矩阵钟一一相“与”来选择一个字存储单元。
·处于数据总线和被选中的单元之间。
·当存储由一定数量的RAM芯片组成,在地址选择时。首先要选片。
· RAM芯片设有引脚
·一般由CPU的高位地址线和一些控制信号(如M/)形成。
·T5、T6的栅极接X行地址译码线
·T7、T8的栅极接Y列地址译码线 存储体=由大量的基本存储单元电路有规则地组合而成。
(如多字都位片:2Kⅹ8位片)
功
能
功能:存储程序,数据。
功能:
·用于对n条地址线译码,形成译码线。以选择个存储单元中的一个 功能:
用于控制被选中的存储单元读出或写入。具有放大信息作用
功能:
当输入信号有效,该片所连的地址线才有效。这才能对该片上的单元进行读写。 功能:
将几片RAM的数据线并联使用,或与双向数据总线相接。 动态RAM 单管动态基本存储单元电路:
略 略 略 略
5.3 主存储结其及存储控制 第五章 存储器与接口 2014-6-30
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