2.3电池制造工艺扩散概要.pptVIP

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  • 2017-02-05 发布于湖北
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2.3电池制造工艺扩散概要

扩散 什么是结? 富含电子的区域(N型区)与富含空穴的区域(P型区)的分界处 结的具体位置在哪里? 电子浓度和空穴浓度相同的地方 什么是扩散? 一种材料通过另一种材料的运动,是一种自然的化学过程 是掺杂的一种工艺方法 扩散的发生条件? 一种材料的浓度必须高于另一种材料的浓度 系统内部有足够高 的能量可以使高浓度的材料进入或通过另一种材料 常见的扩散现象 气相扩散:充压喷雾罐(空气清新剂之类) 液相扩散:墨水与水混合 固相扩散:金链子与皮肤 结的扩散形成 大量的杂质气体进入密闭空间(扩散炉) 杂质气体在扩散炉内扩散(气相扩散) 因为进入的杂质气体为N型杂质原子,硅材料内部为P型杂质原子,因为浓度的关系,发生扩散过程 因为扩散到晶圆内部的N型杂质原子数量高于第一层中P型原子数量,形成N型导电层 发生从第一层向第二层的扩散 同样,第二层中的N型杂质的数量高于P型,使第二层转变为N型 向深处继续扩散 什么是同型掺杂? 所掺杂质与原有杂质相同,即在N型硅片中掺入N型杂质或在P型硅片中掺入P型杂质 掺入的杂质原子仅仅在限定区域中提高了杂质原子的浓度,不会形成结 NP结与PN结? NP结:掺杂区中N型原子浓度高 PN结:掺杂区中P型原子浓度高 扩散的工艺目的? 在硅片表面产生具体掺杂原子的数量(浓度) 在硅片表面下的特定位置处形成PN(或NP)结 在硅片表面层形成特定的掺杂原子(浓度)

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