3MOSFET-final概要.ppt

3亚阈值导电性 当VGS?VTH时和略小于VTH ，“弱”反型层依然存在，与VGS呈现指数关系。当VDS大于200mV时 这里ζ1，VT＝kT/q 4 电压限制 栅氧击穿 过高的GS电压。 “穿通”效应 过高的DS电压，漏极周围的耗尽层变宽，会到达源区周围，产生很大的漏电流。 3.1.3 MOSFET开关特性 噪声容限(反相器) 噪声容限 2. 瞬态特性 3.4 MOSFET电容 MOS器件电容 栅和沟道之间的氧化层电容 源/漏与衬底之间的结电容C5，C6，结电容 多晶硅栅与源和漏交叠而产生的电容C3，C4，每单位宽度交叠电容用Cov表示 Cj0是在反向电压VR为0时的电容，ΦB是结的内建电势，m=0.3~0.4 衬底和沟道之间的耗尽层电容 等效电容： 器件关断时，CGD=CGS=CovW， CGB由氧化层电容和耗尽区电容串连得到 深三极管区时，VD?VS， 饱和区时， 在三极管区和饱和区，CGB通常可以被忽略。 MOS管高频等效电路（小信号模型） 3.2 短沟道效应 短沟道效应： MOSFET沟道长度减小（沟道长度与源、漏结耗尽层宽度相当时开始），器件的特性与长沟道模型发生偏离 ID/W- 1/L 1. 载流子速率饱和 饱和时漏源电压 短沟道器件饱和区直流方程 跨导 沟道被夹断之前达到速率饱和临界电场EC 2. 阈值电压的短沟道效应 阈值电压随沟道长度