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3.1.9 NMOS逻辑门电路 3.1.9 NMOS逻辑门电路 3.1.9 NMOS逻辑门电路 3.1 .9 NMOS逻辑门电路 3.2 TTL逻辑门 3.2.2 基本的BJT反相器的动态性能 3.2.3 TTL反相器的基本电路 4. 采用推拉式输出级以提高开关速度和带负载能力 当输出为低电平时，T3处于深度饱和状态，T4截止， T3的集电极电流可以全部用来驱动负载。 TTL与非门电路的工作原理 任一输入端为低电平时: T1的发射结正向偏置而导通，T2截止。输出为高电平。 TTL与非门的技术参数 * 3、NMOS或非门 1、NMOS反相器 2、NMOS与非门 1、NMOS反相器---饱和型负载管反相器 Vi Vo T2 T1 +VDD 即：Vi为高电平时， Vo为低电平 Vi为低电平时， Vo为高电平 当输入电压为高电平时，T1导通 当输入电压为低电平时，T1截止T2还是导通 所以，是反相器 T1为工作管， T2为负载管 ≤ 1V Vo ? VDD 3-10K 100-200K （低电平） 2、NMOS与非门 当A、B中有一个或两个均为低电平时，T1、T2有一个或两个都截止，输出为高电平 只有A、B全为高电平时，T1、T2均导通，输出为低电平 T1、 T2为工作管， T3为负载管 B L T3 T2 +VDD A T1 L= AB 3、NMOS或非门 当A、B中有一个为高电平时， T1、T2 有一个导通，输出0 A、B都为低电平时，T1、T2均截止， 输出为1 T1、 T2为工作管， T3为负载管 因为T1、T2是并联的，要想增加输入端的个数时不会引起输出低电平的变化。这给制造多输入端的或非门带来方便。 L +VDD B T3 T2 A T1 即 L= A+B 3.2.1 BJT的开关特性 3.2.2 基本BJT反相器的动态特性 3.2.3 TTL反相器的基本电路 3.2.4 TTL逻辑门电路 3.2.5 集电极开路门和三态门电路 3.2 TTL逻辑门 3.2.1 BJT的开关特性 iB?0，iC?0，vO＝VCE≈VCC，c、e极之间近似于开路, vI=0V时: vO＝VCES≈0.2V，c、e极之间近似于短路 vI=5V时: 很小，约为数百欧，相当于开关闭合 可变 很大，约为数百千欧，相当于开关断开 c、e间等效内阻 VCES ≈ 0.2~0.3 V VCE＝VCC－iCRc VCEO ≈ VCC 管压降 且不随iB增加而增加 ic ≈ ?iB iC ≈ 0 集电极电流 发射结和集电结均为正偏 发射结正偏，集电结反偏 发射结和集电结均为反偏 偏置情况 工作特点 iB iB≈0 条件 饱 和 放 大 截 止 工作状态 BJT的开关条件 0 iB iC＝ICS≈ BJT的开关时间 从截止到导通 开通时间ton(=td+tr) 从导通到截止 关闭时间toff(= ts+tf) BJT饱和与截止两种状态的相 互转换需要一定的时间才能完成。 TTL反相器的产生: 若考虑基本反相器负载电容CL 的影响，在反相器输出电压?O 由低向高过渡时，电路由VCC 通过Rc对CL充电。 vcc Rc T CL 反之，当?O由高向低过渡时，CL又将通过BJT放电。CL的充、放电过程均需经历一定的时间，必然会增加输出电压?O波形的上升时间和下降时间，导致基本的BJT反相器的开关速度不高。故需寻求更为实用的TTL电路结构。 1. TTL反相器的基本电路 2. TTL反相器的工作原理 3. 采用输入级以提高工作速度 4. 采用推拉式输出级以提高开关速度 和带负载能力 1. TTL反相器的基本电路 R b1 4k W R c 2 1.6k W R c 4 130 W T 4 D T 2 T 1 + – v I T 3 + – v O 负载 R e2 1K W V CC (5V) 输入级 中间级 输出级 3.2.3 TTL反相器的基本电路 2. TTL反相器的工作原理 （1）当输入为低电平 （?I = 0.2 V） 0.9V 0.2V ?O≈VCC－VBE4－VD ＝5－0.7－0.7 =3.6V 3.2.3 TTL反相器的基本电路 2. TTL反相器的工作原理 当输入为高电平（?I = 3.6 V） 3.6V 4.3V 2.1V 1.4V 0.2V 低电平0.2V）