HDPCVD技术应用与设备维护概要.doc

毕业设计论文 HDPCVD技术应用与设备维护 系 电子信息工程系 专业 微电子 姓名 曹海峰 班级 微电113 学号____ 28_____ 指导教师 徐振邦 职称 讲师 指导教师 职称 设计时间 2012.9.15－2013.1.4 摘要 HDPCVD工艺自问世以来凭借其独特的在高密度等离子体反应腔中同步淀积和刻蚀绝缘介质的反应过程实现了在较低温度下对高深宽比间隔的优良填充, 其所淀积的绝缘介质膜具有高密度、低杂质缺陷等优点, 同时对硅片有优良的粘附能力, 这些优势使 HDPCVD 工艺迅速取代其他传统工艺而一举成为先进半导体制程中对超细间隔进行绝缘介质填充的首选。 本课程设计主要以介电质化学气相淀积工艺为基础，以高密度等离子体（HDPCVD）为研究对象，从高密度等离子体的工艺原理、在半导体制造中的工艺应用、以及设备构成和维护等多方面进行了详细描述。 关键词：高密度等离子体，化学气相淀积，半导体制造，填充目录 摘要 2 目录 3 第1章 绪 论 4 1.1 引言 4 1.2 DCVD工艺的分类 4 第2章 HDPCVD的工艺原理 6 2.2 CVD的工艺原理 6 2.3 PECVD工艺原理 8 2.4 高密度等离子体CVD（HDPCVD） 9 2.5 HDPCVD的反应腔及主要反应过程 11 2.6 HDPCVD工艺的重要指标-淀积刻蚀比 13 第3章 HDPCVD技术的应用 15 3.1 HDPCVD工艺在半导体制造中的应用 15 3.2 半导体制造对HDP的工艺要求 15 3.3 HDPCVD工艺中对薄膜质量的测量参数 16 3.4 HDPCVD工艺中的两个问题 18 第4章 HDPCVD设备的结构及维护 19 4.1 HDPCVD设备的结构 19 4.2 HDPCVD设备的维护 20 第5章 总结与展望 24 参考文献 25 致谢 26  绪 论 引言 微芯片加工是一个平面加工的过程，这一过程包含在硅片表面生长不同膜层的步骤，通过淀积工艺可以完成在硅片表面生长薄膜，导电薄膜层和绝缘层对于能否在硅衬底上成功制作出半导体器件是至关重要的。成膜技术被用来加工电路，主要用来隔离绝缘介质层之间所夹的金属导电层连接不同的IC器件。 在制造工艺中，多种不同类型的膜淀积到硅片上，在某些情况下，这些膜成为器件结构中的一个完整部分；另外一些膜则充当了工艺过程中的牺牲层，并且在后续的工艺中被去掉。在微芯片加工中，膜淀积通常指薄膜，因为这些膜很薄以致它们的电学和机械学特性完全不同于同种材料下更厚的膜。 随着半导体技术的飞速发展，半导体器件特征尺寸的显著减小，相应地也对芯片制造工艺提出了更高的要求，其中一个具有挑战性的难题就是绝缘介质在各个薄膜层之间均匀无孔的填充以提供充分有效的隔离保护，包括浅槽隔离，金属前绝缘层（PMD），金属层间绝缘层（IMD）等等。本文所介绍的高密度等离子体化学气相淀积（HDPCVD)工艺自20世纪90年代中期开始被先进的芯片工厂采用以来，以其卓越的填孔能力，稳定的淀积质量，可靠的电学特性等诸多优点而迅速成为0.25微米以下先进工艺的主流。 在HDPCVD工艺问世之前，大多数芯片厂普遍采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)进行绝缘介质的填充。这种工艺对于大于0.8微米的间隙具有良好的填孔效果，然而对于小于0.8微米的间隙，用单步PECVD工艺填充具有高的深宽比(定义为间隙的深度和宽度的比值)的间隙时会在其中部产生夹断（pinch-off）为了解决这一难题，淀积-刻蚀-淀积工艺被用以填充0.5微米至0.8微米的间隙,也就是说，在初始淀积完成部分填孔尚未发生夹断时紧跟着进行刻蚀工艺以重新打开间隙入口，之后再次淀积以完成对整个间隙的填充HDPCVD工艺正是在探索如何同时满足对高深宽比间隙的填充和控制生产成本的过程中诞生的，它的突破创新之处就在于在同一个反应腔中同步地进行淀积和刻蚀的工艺。具体来说,在常见的HDPCVD制程中，淀积工艺通常是由和的反应来实现，而蚀刻工艺通常是由Ar和的溅射来完成 介电质化学气相淀积(Dielectric Chemical Vapor Deposition，DCVD)LPCVD)，次大气压化学气相淀积(SACVD)，等离子体增强化学气相淀积(PECVD)，高密度等离子体化学气相淀积(HDPCVD)等。 下面简单介绍这几种DCVD制程的特点： 1)、APCVD是半导体业界第一种类型的DCVD，由于反应在