新型宽禁带半导体材料与器件研究.ppt

（六）电化学C-V方法进行ZnO载流子浓度分布剖面测试的研究 为了更准确、更可靠的测试p型ZnO薄膜的电学参数 ，我们开展了 2.选用浓度为0.1mol/L的ZnCl2溶液作为电解液： ZnO是两性氧化物，可以很容易同酸和碱反应，在溶液中生成Zn2+和ZnO22-离子。对n－ZnO的ECV测试，要求电解液同ZnO样品间只发生光电化学腐蚀过程，而化学腐蚀过程、光化学腐蚀过程及电化学腐蚀过程的腐蚀速率应尽可能低。 ZnCl2在水中可水解：ZnCl2 + H2O = Zn(OH)Cl +HCl，生成的溶液显弱酸性，且选用浓度为0.1mol/L的ZnCl2溶液作为电解液，没有观察到电解液的泄漏。我们采用ZnCl2为电解液，初步测试了n-ZnO薄膜的性质，其ECV测试结果如下： 从rest potential测试中可以明显看到测试的ZnO薄膜为n型样品。 杭州 2007.11 图3是得到的I-V曲线图。从图中我们可以看出ZnCl2电解液与样品之间形成了较好的肖特基接触，光照前后电流发生变化，生长的ZnO薄膜是n型的。 图3 n型ZnO 的I-V曲线 n型ZnO的C-V曲线 图4是样品的C-V曲线。在正向偏压区(0～2.0V)，C-V曲线斜率为负，这符合n-ZnO的特性。但图中耗散因子曲线（红色曲线）所示的值较高。测