VLSI-03第三讲实验室净化与硅片清洗概要.ppt

集成电路工艺原理 仇志军 zjqiu@fudan.edu.cn 邯郸校区物理楼435室 INFO130024.01 集成电路工艺原理 第三章 实验室净化及硅片清洗 硅单晶的制备： 掺杂分布： 有效分凝系数 衬底制备： 晶体缺陷： 本节课主要内容 CZ 直拉法、 悬浮区熔法 整形、晶体定向、晶面标识、晶面加工 点缺陷、线缺陷、面缺陷、体缺陷 大纲 （2） 第一章 前言 第二章 晶体生长 第三章 实验室净化及硅片清洗 第四章 光刻 第五章 热氧化 第六章 热扩散 第七章 离子注入 第八章 薄膜淀积 第九章 刻蚀 第十章 后端工艺与集成 第十一章 未来趋势与挑战 Modern IC factories employ a three tiered approach to controlling unwanted impurities（现代IC fabs依赖三道防线来控制沾污） 三道防线: 环境净化（clean room） 硅片清洗（wafer cleaning） 吸杂（gettering） 1、空气净化 From Intel Museum 净化级别：每立方英尺空气中含有尺度大于0.5mm的粒子总数不超过X个。 0.5um