【2017年整理】多晶硅生产工艺流程.docVIP

目前世界上绝大部分企业均采用改良西门子法工艺生产多晶硅。 多晶硅生产工艺流程：由高纯石英（石英化学名SiO2俗称沙子）→（经1100℃左右高温通过焦碳或H2进行还原反应）→纯到98%左右的工业硅→（加HCL酸洗，生成拟溶解的三氯氢硅SiHCl3）→SiHCL3（经过粗馏精馏）→高纯SiHCL3（和H2反应CVD工艺；CVD工艺即化学气相沉积，用来产生薄膜，防止氧化）→高纯多晶硅。1、改良西门子法——闭环式三氯氢硅氢还原法　　改良西门子法是用氯和氢合成氯化氢（或外购氯化氢），氯化氢和工业硅粉在一定的温度下合成三氯氢硅，然后对三氯氢硅进行分离精馏提纯，提纯后的三氯氢硅在氢还原炉内进行CVD反应生产高纯多晶硅。　　国内外现有的多晶硅厂绝大部分采用此法生产电子级与太阳能级多晶硅。 2、硅烷法——硅烷热分解法　　硅烷（SiH4）是以四氯化硅氢化法、硅合金分解法、氢化物还原法、硅的直接氢化法等方法制取。然后将制得的硅烷气提纯后在热分解炉生产纯度较高的棒状多晶硅。以前只有日本小松掌握此技术，由于发生过严重的爆炸事故后，没有继续扩大生产。但美国Asimi和SGS公司仍采用硅烷气热分解生产纯度较高的 电子级多晶硅产品。 3、流化床法　　以四氯化硅、氢气、氯化氢和工业硅为原料在流化床内（沸腾床）高温高压下生成三氯氢硅，将三氯氢硅再进一步歧化加氢反应生成二氯二氢硅，继而生成硅烷气。制得的硅烷气通入加有小颗粒硅粉的流化床反应炉内进行连续热分解反应，生成粒状多晶硅产品。因为在流化床反应炉内参与反应的硅表面积大，生产效率高，电耗低与成本低，适用于大规模生产太阳能级多晶硅。唯一的缺点是安全性差，危险性大。其次是产品纯度不高，但基本能满足太阳能电池生产的使用。　　此法是美国联合碳化合物公司早年研究的工艺技术。目前世界上只有美国MEMC公司采用此法生产粒状多晶硅。此法比较适合生产价廉的太阳能级多晶硅。 4、太阳能级多晶硅新工艺技术　　除了上述改良西门子法、硅烷热分解法、流化床反应炉法三种方法生产电子级与太阳能级多晶硅以外，还涌现出几种专门生产太阳能级多晶硅新工艺技术。 1）冶金法生产太阳能级多晶硅　　主要工艺是：选择纯度较好的工业硅（即冶金硅）进行水平区熔单向凝固成硅锭，去除硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分后，进行粗粉碎与清洗，在等离子体融解炉中去除硼杂质，再进行第二次水平区熔单向凝固成硅锭，去除第二次区熔硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分，经粗粉碎与清洗后，在电子束融解炉中去 除磷和碳杂质，直接生成太阳能级多晶硅。 2）气液沉积法生产粒状太阳能级多晶硅　　主要工艺是：将反应器中的石墨管的温度升高到1500℃，流体三氯氢硅和氢气从石墨管的上部注入，在石墨管内壁1500℃高温处反应生成液体状硅，然后滴入底部，温度回升变成固体粒状的太阳能级多晶硅。 3）重掺硅废料提纯法生产太阳能级多晶硅用心 爱心 专心 116号编辑2007-2008学年度高二化学选修4第一学期第二次月考试卷（时间：100分钟　　分值：120分）　　　　　可能用到的相对原子质量：H 1 C 12 N 14 O 16 S 32 Cl 35.5 K 39 Ca 40 第Ⅰ卷选择题（共54分）选择题（本题包括8小题，每小题3分，共24分，每小题只有一个选项符合题意） = 1 \* GB1 ⒈下列物质加入水中，因水解而使溶液呈酸性的是 （ ）A．FeCl3 B．NaHSO4 C．Na2CO3 D．Na = 2 \* GB1 ⒉25℃时将等体积盐酸和氨水混合,若混合溶液中c（NH4+）＝c（Cl-）,则溶液的pH值（ ）A．＞7 B．＜7 C．＝7 D．不能确定 = 3 \* GB1 ⒊下列途述正确的是 （ ）A．电能是一级能源 B．水力是二级能源 C．天然气是一级能源 D．水煤气是一级能源 = 4 \* GB1 ⒋下列物质属于强电解质的是 （ ）A．NH3·H2O B．Na2O C．C O2 D．Cl2 = 5 \* GB1 ⒌已知450℃时，反应H2(g)＋I2(g) 2HI(g)的K＝50，由此推测在450℃时，反应2HI(g) H2(g)＋I2(g)的化学平衡常数为 （ ）A．50 B．0.02 C．100 D．无法确定 = 6 \* GB1 ⒍下列叙述中，能说明某化合物是弱电解质的是