【2017年整理】工程电磁场实验三最新版.docxVIP

吉林大学仪器科学与电气工程学院 PAGE \* MERGEFORMAT 6 实验三 霍尔效应法测量磁场 磁场及物质磁性的测量时物理测量的一个重要分支。测量磁场的方法按其原理可分成两大类(1)由物质在磁场中的表现的特征而发展起来的方法：霍尔效用法和核磁共振法等；(2)以电磁感应原理为基础的测量方法：冲击法和感应法等。感应法对线圈的转速与标定分度要求很高但测量不高，因而应用较少。核磁共振法是目前测量均匀磁场最准确的方法，常用来校验或标定其他测磁仪器。 霍尔效应法和冲击电流法是常用的两种方法。其中霍尔效应法在测量技术、自动技术、计算机和信息技术中有广泛的应用，例如各种型号的高斯计就是利用此原理；冲击法作为一种较为简单、标准的测量方法历史悠久，至今仍为标准计量局采用。 目的 观察霍尔现象。 了解应用霍尔效应测量磁场的原理和方法。 学会使用霍尔元件测量螺线管内外磁场。 研究通电螺线管内部磁场分布。 原理 霍尔效应 霍尔效应是霍普斯金大学研究生霍尔1879年在研究载流导体在磁场中受力的性质时发现的，它是电磁基本现象之一。 图1 磁场中通电半导体的受力示意图 如图1所示，一个长、宽、厚分别为l、b、d的半导体薄片，在X方向通以电流Is，Z方向加磁场B，则载流子（N型半导体为带负电荷的电子，P型半导体为带正电荷的空穴）受洛仑兹力的作用而发生偏转，在半导体的两侧引起正负电荷的聚集；与此同时，还受到与此反向的电场力fE的作用，当两力相等时，电子的积累便达到动态平衡。这时，在AA端之间建立的电场称为霍尔电场EH，相应的电势称为霍尔电势VH，这种现象是霍尔发现的，被称为霍尔效应。设载流子平均速率为u，每个载流子的电荷量为e，当载流子所受洛仑兹力与霍尔元件表面电荷产生的电场力相等时，则VH达到稳定： euB=eEH (1) Is=bdneu或u=Isbdne (2) 所以有 VH=Isned=RHIsBd (3) RH=1ne称为霍尔系数（也成为霍尔器件的灵敏度），是反映材料霍尔效应强度的重要参数。进一步地，定义霍尔灵敏度KH=RHd=1ned。这样可推出： VH=KHIsB (4) B=VHIsKH (5) 所谓霍尔器件就是上述霍尔效应制成的电磁转换元件，已广泛用于非电量测量、自动控制和信息处理等各个领域。对于成品的霍尔元件，其RH和d已给出，因此就将上式写成VH=KHIsB，其中霍尔器件的灵敏度KH（其值由制作厂家给出），它表示该器件在单位工作电流和单位磁感应强度下输出的霍尔电压。以上式中的单位取Is为mA，B为KGS，VH为mV，则KH的单位为mV(mA?KGS)。根据(5)式，因KH已知，而Is由实验给出，所以只要测出VH就可以求出未知磁场强度B。 霍尔元件负效应的影响及消除 在产生霍尔电压VH的同时，还伴有四种负效应，负效应产生的电压叠加在霍尔电压上，造成系统误差，因此需要根据其机理给予消除。 额延格森效应：从微观和统计的概念可知，半导体中流动的载流子其速度有大有小，并不相等。因此他们受到的洛仑兹力并不相等。速度大的电子受力大，更多的聚集到e面，快速电子动能大，致使e面的温度高于c面。由于温差电效应，ce之间将产生电动势差，记为VE，VE的方向决定于电流IH和磁场B二者的方向，并可判知VE的方向始终和VH相同，因此不能用换向法把它与UH分别开来（因为此影响较小，可忽略）。 图2 能斯脱效应：如图1，“1-2”是电极在a，b面上的接触电阻，不可能制作的完全相等。因此，当电流流过不等的接触电阻时，将产生不等的热量，致使a，b面温度不相等。热处电子动能大，扩散能力强，动平衡的结果是电子从热端扩散到冷端，形成附加的热电子流。附加电流也受磁场偏转而在“3-4”端产生电势差，记为VN，可以看出VH的方向与IH的方向无关，只随磁场的方向而改变。这样，我们就可以采用“对称测量法”消去VH。 里纪-勒杜克效应：在能斯脱效应的该热电子流也与IH一样具有额延格森效应，附加电势差，记为VRL，其方向也与IH方向无关，只与磁场B的方向有关，即与VH同方向，所以可以用同样的方法消除VRL。 不等势电压降Va：电极3和4应该做在同等势面上，但制造时很难做到。因此，即使没加磁场，当IH流过时，在“3-4”端也具有电势差，记为Va，其方向只随IH方向改变而改变，只与磁场方向有关。这样也可以采用对称测量法（也是换向法）改变磁