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程序篇： 使用外部变量时，头文件使用extern前缀表示外部变量声明，定义用.c文件里的变量声明不需再加extern前缀(不加extern等于定义)，否则会出现警告（unresolved external symbol） 规则：1.头文件对接口进行声明，包含所有外部变量和函数，在头文件中以extern前缀声明 2.只在一个.c内的使用的函数和变量加static前缀声明（此时，当存在extern前缀的同名变量或函数，不调用extern前缀，只执行static前缀） 3.头文件中只能作声明，不能作定义 4.在头文件中包含外部变量或函数声明后，可在其他.c中包含该头文件后直接使用外部变量或函数。 **************程序优化****************** 1.在循环中，使用递减计数可以优化程序大小 编写程序时少用全局变量可优化程序大小 适当选用内联函数（汇编）定义函数功能，可以有效减小程序大小 当某函数只在当前file使用时，可以考虑把该函数声明为static，可以减少程序大小 对于8位单片机而言，尽量使用8bit(byte)数据可以提高程序处理速度。 当在循环计数中，使用前自减（--i）的形式可以提高程序处理速度。 把循环内容展开编写可以提高程序处理速度，但是同时也带来占用程序空间增多。 利用do{}while(0)结构进行宏定义，有利于提高程序的健壮性。 例：#define YY do{\*define statement*\}while(0)， *************AVR单片机***************** 需要先配置熔丝位才能正确烧写，通常配置如下： 在编写程序时先对IO口进行配置（PORTX、DDRX），当IO被配置为输入时，使用PINX来读取IO口电平。 AVR单片机没有特定位定义（即51的sbit） Atmega64a中，串口具备三种独立的中断方式发送完全中断（TXC）、发送数据寄存器空中断（DRE）、接收完全中断（RXC） 具体看iv_USART0_XXX声明（handler后面为用户自定义中断处理函数名） 当处在TXC中断模式中时，只要UDR0为空并在再次进入中断后不再赋值，不会再触发中断。 在AVR中，使用#pragma data:data表示数据存储空间转移到RAM中，后面紧接定义变量被存放在RAM中；若#pragma data:eeprom则表示数据存储空间转移至EEPROM中，后面紧接定义变量被存放在EEPROM中。 内部EEPROM读写接口：EEPROMwrite(int address,data); EEPROMread(int address); 注：需包含头文件eeprom.h 硬件篇： 1. 1T单片机（STC12）的定时1T模式，每1机器周期（1/12us）计数器+1，12T模式为12机器周期（1us）计数器+1。（晶振为12M）即计算定时器初值时，1T模式为12T模式的12倍。 硬件调试时，使用示波器根据信号输入输出流向进行定点测量。同时，根据特定使能端口电平变化确定故障原因。 0欧电阻作用：(预留位置，匹配阻抗 (当不能走线时当跳线使用 (用于单点接地 电源电路中，使用整流桥加大容值电容滤波后电压为输入交流电有效值的1~1.3倍 半波整流后是输入交流电的0.45倍，全波为0.9倍，整流后滤波约为1.41倍。 运放作放大器（双电源）时，输出端接下拉电阻，保证可靠低电平，可提高抗干扰能力。 电路阻抗计算： 容性阻抗： 感性阻抗： 交流220V（有效值）的峰峰值为（正负周期各） 基极输入，集电极和发射机同时输出，作为最简单的差分电路。在理想情况下，Ic=Ie，即，，即输出反相，幅度相等。当考虑到基极电流的存在时，，即要使得输出幅度相等需要调整两电阻阻值。 安规电容选型： 安规电容与普通电容区别：(1)安规电容在外部电源断开后不会有电荷保留，普通电容则会有 (2)考虑电磁兼容和安全，一般接在电源的入口。 类型：(1)X电容接于火线和零线之间，一般采用聚脂薄膜类电容。(2)Y电容分别接于火线与地线、零线与地线之间，通常成对出现。 注：通常交流电源入口用两个Y+一个X组成滤波电路，抑制EMI传导干扰。 容量选择：Y电容不大于0.1uF；一般两级X电容，前一级用0.47uF,第二级用0.1uF；单级则用0.47uF。（电容容量的大小 和电源的功率无直接关系） 电容降压原理： 利用电容在一定的交流信号频率下产生的容抗来限制最大工作电流。例如，在50Hz的工频条件下，一个1uF的电容所产生的容抗约为3180欧姆。当220V的交流电压加在电容器的两端，则流过电