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第一章 概論 電子學的發展史 (1) 真空管時期：（第一代電腦） 1946年：以真空管組成第一部電腦。 真空管缺點：可靠度不佳、燈絲易斷，體積大，產生熱量大。 (2) 電晶體時期：（第二代電腦） 電晶體特點：體積小、重量輕、低功率、性能優，可靠性高。 (3) 積體電路時期：（第三代電腦） 積體電路（Integrated Circuit）簡稱IC：在微小的晶片（Chip）上，製造出電晶體、二極體、電阻等元件。 依積體電路含零件數不同，可分為下列幾個不同時期： 積體電路的優點： 1、體積與重量大幅度減少。 2、低功率消耗。 3、溫度穩定佳，可靠性增加。 4、可高速工作 ; 5、元件容量大。 (4) 微電腦時期：（第四代電腦） 由於VLSI技術進步，產品大多以微電腦方式控制，所以VLSI時期又稱為微電腦時期。 EX：製成積體電路晶片（IC Chips）的材料是。 （85） (A) 磷 (B) 鋁 (C) 矽 (D) 鎂 ：目前絕大部份的IC晶片均採用矽（Si）為材料，少部份的CPU由於速度上的需求，才使用砷化鎵（GaAs）為材料。 EX：一般而言，邏輯閘數目最少的積體電路為。 （92） (A) LSI (B) MSI (C) SSI (D) VLSI ◆詳解：不論邏輯閘數目或元件數目，其內含最少的積體電路皆為SSI（小型積體電路），而最多的則為VLSI。 第二章 半導體與二極體 § 2-1 半導體 半導體（Semiconductor） 導電能力介於導體（具有高傳導率）與絕緣體（具有低傳導率）之間。 特性： (1) 載子濃度愈高，則電阻係數愈低。 (2) 載子移動率愈快，則電阻係數愈低。 (3) 呈負溫度係數，即溫度上升時，電阻係數下降。 (4) 電壓（V ）與電流（I ）的關係呈非線性。 鍺（Ge）和矽（Si）的最外層軌道有四個價電子，皆屬四價元素。 砷化鎵（GaAs）電子移動速度較矽快，用於高頻場合（CPU、高頻無線通訊）。 本質半導體 (1) 不摻入任何雜質半導體，稱本質半導體或純半導體，如純矽或純鍺。 (2) 在絕對零度（0°K＝-273℃）時，如同一絕緣體（不導電）。此時Si=1.21eV，Ge=0.78eV。 (3) 室溫（25℃）下，欲使共價鍵破裂所需之能量，Si=1.1eV，Ge=0.72eV。 (4)電子數與電洞數相等，故呈電中性。 雜質半導體 在本質半導體中摻入微量（108:1）的3價或5價雜質，因而產生更多的電洞或電子，提高半導體的導電能力。 EX：對一處於絕對零度（0?K）之本質半導體，在此本質半導體之兩端加一電壓；若此本質半導體並未發生崩潰，則在本質半導體內。 （90） (A) 有電子流，也有電洞流 (B) 有電子流，但沒有電洞流 (C) 沒有電子流，但有電洞流 (D) 沒有電子流，也沒有電洞流 ◆詳解：在0?K下，本質半導體如同絕緣體，所以沒有電子流與電洞流流動 EX：在本質半導體中，摻入下何項雜質元素，即可成為P型半導體？ （91） (A) 磷 (B) 硼 (C) 砷 (D) 銻 ◆詳解：(1)本質半導體（4價）＋ 3價雜質元素（硼、銦、鎵、鋁）共有7個價電子，少一個電子（可視為多一個電洞），故稱為P型半導體。 (2)本質半導體（4價）＋ 5價雜質元素（磷、砷、銻）共有9個價電子，多一個電子，故稱為N型半導體 質量作用定律 熱平衡下，正負載子濃度的乘積為定值，與摻雜的施體及受體雜質的份量無關。 即　 N × P=Ni 2 其中　N：自由電子濃度 P：電洞濃度 Ni：本質濃度 EX：純矽半導體本質濃度Ni =1.5?1010原子/cm3，其密度為5?1022原子/cm3，若每108個矽原子加入一個硼原子，則將成為何種類型半導體，又電子濃度為多少？ 詳解：(1)純矽半導體加入三價雜質（硼原子），每加入一個硼原子，即會多出一個帶正電的電洞?電洞濃度P = 5?1022?=5?1014（電洞/cm3）(2)依質量作用定律n ? p =電子濃度（電子/cm3）由於P n（電洞濃度遠大於電子濃度），故為P型半導體 § 2-2 二極體的特性 空乏區（depletion regi