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东北农业大学网络教育学院 电子技术专科网上作业题 半导体器件 一、 判断题 1．因为晶体管发射区的杂质浓度比基区的杂质浓度小得多，所以能用两个二极管反向连接起来代替晶体管。( ) 2．晶体管相当于两个反向连接的二极管，所以基极断开后还可以作为二极管使用。( ) 3．P型半导体的多数载流子是空穴，因此P型半导体带正电。( ) 4．当二极管加反向电压时，二极管将有很小的反向电流通过，这个反向电流是由P型和N型半导体中少数载流子的漂移运动形成的。( ) 5．二极管的电流—电压关系特性可大概理解为反向导通、正向截止的特性。( ) 6．当二极管加正向电压时，二极管将有很大的正向电流通过，这个正向电流是由P型和N型半导体中多数载流子的扩散运动形成的。( ) 7．发射结处于正向偏置的晶体管，则其一定是工作在放大状态。( ) 8．一般情况下，晶体管的电流放大系数随温度的增加而减小。 ( ) 9．常温下，硅晶体管的UBE＝0．7V，且随温度升高UBE增加。( ) 10．二极管正向动态电阻的大小，随流过二极管电流的变化而变化，是不固定的。（ ） 11．用万用表识别二极管的极性时，若测的是二极管的正向电阻，那么和标有“十”号的测试棒相连的是二极管的正极，另一端是负极。( ) 12．N型半导体是在本征半导体中，加入少量的三价元素构成的杂质半导体。( ) 13．在N型半导体中，自由电子的数目比空穴数目多得多，故自由电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子。( ) 14．一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。( ) 15．晶体管的基区之所以做得很薄，是为了减少电子和空穴在基区的复合机会，从而使由发射区进入基区的载流子，绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。( ) 16．当外加电压为零时，PN结的结电容最小。( ) 17．当反向电压小于反向击穿电压时．二极管的反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增大。( ) 18．当晶体管的工作电流小于集电极最大允许电流，且UCE小于BUCEO时，晶体管就能安全工作。( ) 19．晶体管的电流放大系数β值越大，说明该管的电流控制能力越强。所以晶体管的β值越大越好。( ) 20．场效应管和晶体管一样，均为电流控制元件。( ) 21．二极管电压—电流曲线描绘出了电流随时间变化的关系。( ) 22．当加在二极管两端的电压一定时，流经二极管的反向电流还会随环境温度的改变而改变。( ) 23．基极开路、集电极和发射极之间加有一定电压时的集电极电流，叫晶体管的穿透电流。( ) 24．一般说来，晶体管的交流电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，则β增大。( ) 25．稳压二极管的动态电阻是指稳压管的稳定电压与额定工作电流之比。（ ） 26．晶体管的直流输入电阻和交流输入电阻与工作点有关，IB愈小，输入电阻愈小。( ) 27．晶体管的集电极—发射极击穿电压BUCEO的值同工作温度有关，温度越高，BUCEO越大。( ) 28．晶体管的直流输入电阻和交流输入电阻都和工作温度有关，温度升高，RBE、rbe都减小。( ) 二、 选择题 1．如果二极管的正、反向电阻都很大，则该二极管( )。 A．正常 B．已被击穿 C．内部断路 2．当晶体管的两个PN结都正偏时，则晶体管处于( )。 A．饱和状态 B．放大状态 C.截止状态 3．当晶体管的发射结正偏，集电结反偏时，则晶体管处于( )。 A．饱和状态 B．放大状态 C．截止状态 4．NPN型硅晶体管各电极对地电位分别为Uc＝9V，UB＝0．7V，UE＝0V，则该晶体管的工作状态是( ) A．饱和 B．正常放大 C．截止 5．当环境温度升高时，二极管的反向电流将( )。 A．增大 B．减小 C．不变 6．在二极管特性的正向导通区，二极管相当于( )。 A．大电阻 B．接通的开关 C．断开的开关 7．用直流电压表测量NPN型晶体管电路，晶体管各电极对地电位是：UB＝4．7V，UC＝4．3V，UE＝4V，则该晶体管的工作状态是( )。 A．饱和状态 B．放大状态 C．截止状态 8．点接触型二极管比较适用于( ) A．大功率整流 B．小信号检波 C．大电流开关 9．用万用表欧姆挡测量小功率二极管的性能好坏时，应把欧姆挡拔到( )。 A．R