【2017年整理】电子理论题.docVIP

一、选择题（每小题2分，共60分。每小题中只有一个选项是正确的，请将正确答案涂在答题卡上） 1．NPN三极管工作在饱和状态时三个电极的关系是（ ） A、UBUC，UBUE B、UE UC ，UC UB C、UC UB UE D、UEUBUC 2．对半导体三极管，测得其发射结正偏，集电结反偏，此时该三极管处于(????? )。A. 放大状态???? ?? B. 截止状态???? ?? C. 饱和状态??? ? ? ? D. 无法确定 3．滤波电路的目的是（ ） A、滤除脉动电流中的交流成分 B、将交变电流变成单相脉动电流 C、改变输出电压 D、限制输出电压幅度 4．从提高晶体管放大能力出发，除了将晶体管基区做得很薄，且掺杂浓度很低之外?，工艺上还要采取如下措施：(???? ? )A. 发射区掺杂浓度高，集电结面积小??? B. 发射区掺杂浓度高，集电结面积大C. 发射区掺杂浓度低，集电结面积小????? D. 发射区掺杂浓度低，集电结面积大 5、若IB1=20uA，IC1=1mA；IB2=40uA，IC2=2.1mA，则三极管的β值是(???? ? )A、50 B、52.5 C、55 D、57.5 6.测的NPN三极管的三电极电压UB=1.2V，UC=-3V，UE=0.5V，则三极管处于 A、导通 B、截止 C、放大 D、饱和 7.三极管的两个PN结都反偏则三极管处于(???? ? )A、放大 B、截止 C、饱和 D、导通 8.放大电路中，静态点的调整元件是(???? ? )A、RB B、RC C、VCC D、RE 9、NPN三极管基极与发射极短接则三极管(???? ? ) A、发射结正偏 B、集电结正偏 C、截止 D、饱和 10、本征半导体又叫（ ）。 A、普通半导体 B、P型半导体 C、掺杂半导体 D、纯净半导体 11、半导体受光照后，其导电能力会（ ）。 A、增加 B、减弱 C、不变 D、丧失 12、锗二极管的门坎电压为（ ） A、0.2V B、0.5V C、1V D、0.7V 13、二极管两端的反向偏置电压增高时，在达到（ ）电压以前，通过电流很小。 击穿 B、最大 C、短路 D、死区 14、半导体二极管导通的必要且充分条件是（ ） A、加正偏电压 B、加反偏电压 C、加大于死区电压的正向偏压 D、加小于死区电压的正向偏压 15、在有电容滤波的单相半波整流电路中，若要使输出电压为60V，则变压器的次级电压应为（ ） A、50V B、60V C、72V D、27V 16、已知Ai=1000，则Gi=（ ）。 30dB B、60 dB C、40 dB D、60 17、若放大器的输出信号既发生饱和失真，又发生截止失真，则原因是（ ） 静态工作点太高 B、静态工作点太低 C、输入信号幅度过大 D、输入信号幅度过小 18、放大器的输出电阻ro越小，则（ ）。 A、带负载能力越强 B、带负载能力越弱 C、放大倍数越低 D、通频带越宽 19、放大器设置合适的静态工作点，以保证晶体管放大信号时，始终工作在（ ） A、饱和区 B、截止区 C、放大区 D、击穿区 20. 下列符号中表示发光二极管的为（ ）。 21. 硅管正偏导通时，其管压降约为（ ）。 A 0.1V B 0.2V C 0.5V D 0.7V 22. 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的 电阻，由于不同量程时通过二极管的电流 ，所测得正向电阻阻值 。 A. 直流，相同，相同 B. 交流，相同，相同 C. 直流，不同，不同 D. 交流，不同，不同 23 放大电路如图所示，已知三极管的，则该电路中三极管的工作状态为（ ）。 A. 截止 B. 饱和 C. 放大 D. 无法确定 24. 硅三极管放大电路中，静态时测得集-射极之间直流电压UCE=0.3V，则此时三极管工作于（ ） 状态。 A. 饱和 B. 截止 C. 放大 D. 无法确定 25. 某三极管的，则下列状态下三极管能正常工作的是（ ）。 A.