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第1章 半导体二极管和三极管 1.1半导体的导电特性 半导体的导电特性： 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强 (可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 (可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等)。 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改变(可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。 1.1.1 本征半导体 完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。 共价键中的两个电子，称为价电子。 本征半导体的导电机理 价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为空穴（带正电）。 这一现象称为本征激发。 温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。 在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。 当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流 (1)自由电子作定向运动 ?电子电流 (2)价电子递补空穴 ?空穴电流 自由电子和空穴都称为载流子。 自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。 注意： (1) 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差； (2) 温度愈高， 载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。 1.1.2 N型半导体和P型半导体 在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,形成杂质半导体。 掺入五价元素 掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或N型半导体。 在N 型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。 掺入三价元素 掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或 P型半导体。 在 P 型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。 无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。 1. 2 PN结 1.2.1 PN结的形成 空间电荷区也称 PN 结 1.2.2 PN结的单向导电性 1.PN 结加正向电压（正向偏置） 内电场被削弱，多子的扩散加强，形成较大的扩散电流。 PN 结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。 2.PN 结加反向电压（反向偏置） 内电场被加强，少子的漂移加强，由于少子数量很少，形成很小的反向电流。 PN 结加反向电压时，PN结变宽，反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态。 温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。 用心 爱心 专心 116号编辑 2007-2008学年度高二化学选修4第一学期第二次月考试卷 （时间：100分钟　　分值：120分）　　　　　 可能用到的相对原子质量：H 1 C 12 N 14 O 16 S 32 Cl 35.5 K 39 Ca 40 第Ⅰ卷选择题（共54分） 选择题（本题包括8小题，每小题3分，共24分，每小题只有一个选项符合题意） = 1 \* GB1 ⒈下列物质加入水中，因水解而使溶液呈酸性的是 （ ） A．FeCl3 B．NaHSO4 C．Na2CO3 D．Na = 2 \* GB1 ⒉25℃时将等体积盐酸和氨水混合,若混合溶液中c（NH4+）＝c（Cl-）,则溶液的pH值（ ） A．＞7 B．＜7 C．＝7 D．不能确定 = 3 \* GB1 ⒊下列途述正确的是 （ ） A．电能是一级能源 B．水力是二级能源 C．天然气是一级能源 D．水煤气是一级能源 = 4 \* GB1 ⒋下列物质属于强电解质的是 （ ） A．NH3·H2O B．Na2O C．C O2 D．Cl2 = 5 \* GB1 ⒌已知450℃时，反应H2(g)＋I2(g) 2HI(g)的K＝50，由此推测在450℃时，反应 2HI(g) H2(g)＋I2(g)的化学平衡常数为 （ ） A．50 B．0.02 C．100 D．无法确定 = 6 \* GB1 ⒍下列叙述中，能说明某化合物是弱电解质的是 （ ） A.该化合物水溶