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第2章电力晶体管
第二章 电力晶体管(GTR)§2-1 电力晶体管的结构与工作原理GTR是一种电流控制的双极双结大功率、高反压电力电子器件,具有自关断能力,产生于本世纪70年代,其额定值已达1800V/800A/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。它既具备晶体管饱和压降低、开关时间短和安全工作区宽等固有特性,又增大了功率容量,因此,由它所组成的电路灵活、成熟、开关损耗小、开关时间短,在电源、电机控制、通用逆变器等中等容量、中等频率的电路中应用广泛。GTR的缺点是驱动电流较大、耐浪涌电流能力差、易受二次击穿而损坏。在开关电源和UPS内,GTR正逐步被功率MOSFET和IGBT所代替。它的符号如图1,和普通的NPN晶体管一样。一、单管GTR1.单管 GTR结构电力晶体管有与一般双极型晶体管相似的结构、工作原理和特性。它们都是3层半导体,2个PN结的三端器件,有PNP和NPN这2种类型,但GTR多采用NPN型。GTR的结构、电气符号和基本工作原理,如图1所示。 在应用中,GTR一般采用共发射极接法,如图1(c)所示。集电极电流i c与基极电流i b的比值为 β=i c/i b (1) 式中,β称为GTR的电流放大系数,它反映出基极电流对集电极电流的控制能力。单管GTR的电流放大系数很小,通常为10左右。 在考虑集电极和发射极之间的漏电流时, i c=βi b+I c e o (2)2.单管 GTR的工作原理与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的主要特性是耐压高、电流大、开关特性好通常采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成一般采用共发射极接法,集电极电流ic与基极电流ib之比为(1-9)( ——GTR的电流放大系数,反映了基极电流对集电极电流的控制能力)当考虑到集电极和发射极间的漏电流Iceo时,ic和ib的关系为 ic=βib +Iceo (1-10)产品说明书中通常给直流电流增益hFE——在直流工作情况下集电极电流与基极电流之比。一般可认为β≈βhFE单管GTR的值比小功率的晶体管小得多,通常为10左右,采用达林顿接法可有效增大电流增益。二、达林顿GTR达林顿GTR模块 达林顿结构的GTR是由2个或多个晶体管复合而成,可以是PNP型也可以是NPN型,其性质取决于驱动管,它与普通复合三极管相似。达林顿结构的GTR电流放大倍数很大,可以达到几十至几千倍。虽然达林顿结构大大提高了电流放大倍数,但其饱和管压降却增加了,增大了导通损耗,同时降低了管子的工作速度。GTR模块 目前作为大功率的开关应用还是GTR模块,它是将GTR管芯及为了改善性能的1个元件组装成1个单元,然后根据不同的用途将几个单元电路构成模块,集成在同一硅片上。这样,大大提高了器件的集成度、工作的可靠性和性能/价格比,同时也实现了小型轻量化。目前生产的GTR模块,可将多达6个相互绝缘的单元电路制在同一个模块内,便于组成三相桥电路。为了提高GTR的开关速度,可选用结电容比较小的快速开关管,还可用加速电容来改善GTR的开关特性。在GTR的基极电阻两端并联一个电容,利用换流瞬间其上电压不能突变的特性,也可改善管子的开关特性。§2-2电力晶体管的特性与参数 GTR的基本特性一、静态特性共发射极接法时的典型输出特性:截止区、放大区和饱和区。在电力电子电路中GTR工作在开关状态,即工作在截止区或饱和区。在开关过程中,即在截止区和饱和区之间过渡时,要经过放大区。静态特性可分为输入特性和输出特性。输入特性与二极管的伏安特性相似,在此仅介绍其共射极电路的输出特性。GTR共射极电路的输出特性曲线,如图2所示。由图明显看出,静态特性分为3个区域,即人们所熟悉的截止区、放大区及饱和区。当集电结和发射结处于反偏状态,或集电结处于反偏状态,发射结处于零偏状态时,管子工作在截止区;当发射结处于正偏、集电结处于反偏状态时,管子工作在放大区;当发射和集电结都处于正偏状态时,管子工作在饱和区。GTR在电力电子电路中,需要工作在开关状态,因此它是在饱和和截止区之间交替工作。二、动态特性开通过程延迟时间td和上升时间tr,二者之和为开通时间ton。td主要是由发射结势垒电容和集电结势垒电容充电产生的。增大ib的幅值并增大dib/dt,可缩短延迟时间,同时可缩短上升时间,从而加快开通过程由于管子结电容和储存电荷的存在,开关过程不是瞬时完成的。GTR开通时需要经过延时时间和上升时间,二者之和为开通时间;关断时需要经过储存时间和下降时间,二者之和为关断时间。{{分页}} 实际应用中,在开通GTR时,加大驱动电流i b和其上升率,可减小td和tr
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