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* * 材料显微结构分析 X光化学分析 一. 分析理论基础及方法 理论基础： 莫塞莱定率 h: plank常数 K: 与马德堡常数有关 σ：屏蔽常数 L系 常用K系 XRF 激发源: 一次X-Ray e束 EPMA 不必导电，液体可 试样： 微区 导电或镀膜 Be4-U92 相对较低，几百ppm；绝对较高，10－13－10－14g 少量到百分之百 可，必须校正 照射区域： 检测范围： 含量限制： 灵敏度： 定量分析： 展谱方式： 大面积 F9－U92 (C6) 相对较高，几－几十ppm；绝对较低。 微量到百分之百 WDS或EDS 分光（展谱）原理 无论是原激发或次激发均同时激出试样中已有元素的特征X线，必须分光。 1.WDS：Wave Dispersive Spectroscopy 　　　　　利用波动性? 逐一展谱 2.EDS：Energy Dispersive pectroscopy 利用粒子性h? 同时展谱 两种展谱方式 二.WDS分光 原理： 利用Bragg方程。 但几何布置有区别。 EPMA与XRF的 WDS分光原理相同， 均用Bragg方程, 试样 e束 分光晶体 准直光栏 探测器G 例：常用分光晶体LiF 当 时，接收