第一章：绪论试卷.ppt

4. 单晶硅生长 直拉法（CZ法） CZ单晶炉 用CZ法拉出的硅锭 区熔法 使用的材料：掺杂好的多晶硅棒 优点： 纯度高 含氧量低 缺点： 硅片直径比直拉的小 掺杂 在拉制单晶时，掺入硼杂质可得到P型单晶硅锭。掺入磷、砷等杂质可得到N型单晶硅锭。 纯单晶硅是绝缘体其电阻率为2.5×105Ω.cm，当掺入百万分之一的磷或砷，则电阻率下降到0.2 Ω.cm，导电能力增强125万倍，这是半导体的神奇之处！ 硅的原子密度：5.0×1022/cm3 5. 硅中的晶体缺陷 位错 层错 6. 硅片制备 硅片的定位边标识 直径200mm及以上的硅片采用定位槽取代定位边 Φ450mm的硅锭及硅单晶片成品 硅片主要技术指标 尺寸（直径、厚度） 晶向 电阻率 平整度 缺陷密度 7. 外延层 本章作 业 §1.1 （书中第一章）： 1.什么叫集成电路？写出 IC 制造的５个步骤 2.集成电路的发展趋势是什么？什么是摩尔定律？ 3.什么是特征尺寸？ §1.3 （书中第四章）： 4. 请描述多晶和单晶 * * * * * 特征尺寸（ Critical Dimension,CD）的概念 特征尺寸是芯片上的最小物理尺寸，是衡量工艺难度 的标志，代表集成电路的工艺水平。 在CMOS技术中，特征尺寸通常指多晶硅栅的线宽 在双极技术中，特征尺寸通常指接触孔的尺寸 加深对微尺度的印象 器件