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1.4 场效应管概念归纳 FET）：是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称为单极型晶体管。 场效应管特点：体积小，重量轻、寿命长、输入电阻高，噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、省电。 场效应管分类：结型和绝缘栅型两种。 结型场效应管分类：N沟道和P沟道两种。 N沟道结型场效应管正常工作时，在漏-源之间加正向电压 ，形成漏极电流 。 0，耗尽层承受反向电压，既保证栅-源之间内阻很高，又实现 对沟道电流的控制。 结型场效应管其工作原理： 1. =0时， 对导电沟道的控制作用，如下图所示。 =0时， =0，耗尽层很窄，导电沟道很宽，如图(a)所示。 增大时，耗尽层加宽，沟道变窄，沟道电阻增大，如图(b)所示。 增大到某一数值时，耗尽层闭合，沟道消失，如图(c)所示，沟道电阻趋于无穷大，称此时 的值为夹断电压 。 2. 为 ~0中某一固定值时， 对漏极电流 的影响 =0，由 所确定的一定宽的导电沟道，但由于d-s间电压为零，多子不会产生定向移动， =0。 0，有电流 从漏极流向源极，从而使沟道各点与栅极间的电压不再相等，沿沟道从源极到漏极逐渐增大，造成靠近漏极一边的耗尽层比靠近源极一边的宽。如右图（a）所示。 从零逐渐增大时， = - 逐渐减小，靠近漏极一边的导电沟道随之变窄。电流 随 线性增大。 增大，使 = ，漏极一边耗尽层出现夹断区，如图(b)所示，称 = 为预夹断。 继续增大， ，夹断区加长，如图(c)所示。这时，一方面自由电子从漏极向源极定向移动所受阻力加大，从而导致 减小；另一方面，随着 的增大，使d-s间的纵向电场增强，导致 增大。两种变化趋势相抵消， 表现出恒流特性。 结型场效应管的特性曲线 1.输出特性曲线 输出特性表示：在栅源电压一定的情况下，漏极电流 与漏源电压 之间的关系，即 = =常数 曲线如图所示。 输出特性可以分为四个工作区： (1)可变电阻区：沟道电阻随 大小而变，故称为可变电阻区， (2)夹断区：电流 =0，场效应管呈现一个很大的电阻。 (3)恒流区： 不随 的增大而变化， 趋向恒定值。在这个区域， 只随 的增大而增大。表现出场效应管电压控制电流的放大作用。 (4)击穿区： 增大， 突然加大，反向偏置的PN结超过承受极限而发生沟道击穿, 和 失去对 的控制作用，若不加限制，场效应管会损坏。 2.转移特性：漏极电流 与栅源电压 的关系曲线称为转移特性。即 = 常数 N沟道结型管 对 的控制规律如图所示。 夹断电压：当 为确定值， 由零向负方向变化， 将减小， = ，使 =0，此电压便是夹断电压。 饱和漏电流：当 =0时，漏极电流最大，称为饱和漏电流，用IDSS表示。 MOS管：栅极与源极、栅极与漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离而得名，又称MOS管。 特点：栅-源间输入电阻高，达1010 以上，温度稳定性好、集成工艺简单，广泛用于大规模和超大规模集成电路中。 分类：增强型管（N沟道和P沟道）和耗尽型管（N沟道和P沟道）。 增强型管定义：栅-源电压 为零时漏极电流为零。 耗尽型管定义：栅-源电压 为零时漏极电流不为零。 N沟道增强型MOS管：当栅-源电压变化时，将改变衬底靠近绝缘层处感应电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。 　　NMOS管工作原理 =0, 0时，由于SIO2的存在，栅极电流为零。栅极金属层将聚集正电荷，排斥P型衬底靠近SIO2一侧的空穴，使之剩下不能移动的负离子区，形成耗尽层，如右图(a)所示。 增大，一方面耗尽层加宽，另一方面将衬底的自由电子吸引到耗尽层与绝缘层之间，形成一个N型层，称为反型层，如右图（b）所示。 这个反型层构成了漏-源之间的导电沟道。使沟道刚刚形成的栅-源电压称为开启电压 。 愈大，反型层愈厚，导电沟道电阻愈小。 时， 0，将产生漏极电流。如下图所示。 较小， 增大使 线性增大，沟道沿源-漏方向逐渐变窄。如图 (a)所示。 增大到使 时，沟道在漏极一侧出现夹断点，称为预夹断。如图 （b）所示。 继续增大，夹断区随之延长，如图 （c）所示。 增大部分几乎全部用于克服夹断区对漏极电流的阻力。 不随 的增大而变化，管子进入恒流区， 决定于 。 N沟道耗尽型MOS管工作原理： 0，反型层变宽，沟道电阻变小， 增大； 0，反型层变窄，沟道电阻变大， 减小； 减小到一定值时，反型层消失，漏-源之间导电沟道消失， =0。此时的 称为夹断电压 。 ? P沟道增强型MOS管的开启电压 0，当 时管子才导通，漏-源之间应加负电源电压； P沟道耗尽型MOS管的夹断电压 0， 可在正、可负值的一定范围内实现对 的控制，漏