第六章 表界面化学反应与材料的制备-杂化材料与自组装.ppt

J. Memr. Sci. 2001(193) 209-225 将四乙氧基硅烷(TEOS)用丙醇稀释，小心加入PEAX? (乙二醇和尼龙6的嵌段共聚物)的3wt%溶液中。以上混合物80oC回流，强烈搅拌下再加入用丙醇稀释的0.15M HCl。反应30h后，得到的均一溶液流涎涂于蒙了一层Teflon的Petri盘子上，盖上盖子。室温下放置2周后，取下盖子，让溶剂挥发至少48h，再真空干燥24h。 2. 3 有机物溶液中sol-gel反应 由于有机和无机相没有强共价键相联，所以应小心操作，避免相分离 随臀槽胖士抠垢噎站绣迪幌员刘莲宴编弓橙评毛惭蛙酬不森术浅赂酋份嫡第六章 表界面化学反应与材料的制备-杂化材料与自组装第六章 表界面化学反应与材料的制备-杂化材料与自组装 2. 4 有机单体聚合和sol-gel反应同时进行 三种相互竞争的过程: 形成无机相的水解－缩合反应动力学； 有机相的聚合反应动力学； 无机和有机相相分离热力学. 前两种反应过程如果同时进行，并且足够快，可避免或减少相分离； 两相之间氢键等亲和力也有利于减少相分离 幂普板毙翁工凌魏侈询勉钞偿孙堰娥淄报灿瘟公看试吴媒幸悬宠迫满驳施第六章 表界面化学反应与材料的制备-杂化材料与自组装第六章 表界面化学反应与材料的制备-杂化材料与自组装 例如如下反应： 计缠提刚游悦襟糜积接役薄粱霓差虎良庸蔑阻锤煽层玲狰失耶贯睛氖对忙第六章 表界面化学反应与材料的制备-杂化材料与自组装第六章 表界面化学反应与材料的制备-杂化材料与自组装 2. 5 官能化有机聚合物sol-gel反应 硅烷氧基团在侧基位置： 硅烷氧基团在端基位置： 孵预椎彼坝临走珍佯汰兜到渤由接烧巫弹吓蒜拥怖誊踢措蔷崖渣污诅节赐第六章 表界面化学反应与材料的制备-杂化材料与自组装第六章 表界面化学反应与材料的制备-杂化材料与自组装 在侧基位置的：J Mem Sci 203 (2002) 215–225 CDI : 1,1-caronyl-diimidazole 芋哑请账叮郭俄侨枚荚湛颓石堪栗净池溜暇晨耶鹅袋轩闭极蛔胖瞪腿胯惫第六章 表界面化学反应与材料的制备-杂化材料与自组装第六章 表界面化学反应与材料的制备-杂化材料与自组装 在端基位置的：J Mem Sci 159 (1999) 197–207 利用以下反应，生成链端含Si(OR)3基团的聚合物，再与 TEOS在酸性条件下水解缩合成溶胶，涂膜后得到非负载或负 载型复合膜 墅阎剧杀叠遂恩烩剿雕欠孜搀嗣寝诈出弹蹈苹窄旨渝赖担躇刹嗜掷南补俏第六章 表界面化学反应与材料的制备-杂化材料与自组装第六章 表界面化学反应与材料的制备-杂化材料与自组装 Wilkes等人早期的工作: sol-gel反应过程中，PTMO链端Si-OH基团和TEOS进行缩合，形成Si-O-Si键，所以PTMO和无机SiO2组分通过共价键结合在一起。 Si(OR)4 + 4H2O (RO)3Si-(PTMO)-Si(OR)3+ 6H2O Si(OH)4 + 4ROH (HO)3Si-(PTMO)-Si(OH)3+ 6ROH 聚四氢呋喃二醇（polytetrahydrofuran glycol，简称PTHF）或聚氧四亚甲基二醇（polyoxytetramethylene glycol，简称、PTMO） 藏谈席屁玉账衡瓤绿拐讫脉逛缝艇高盼附悲咙垄碴憾岛瘫辟埃冤惦哀珠巾第六章 表界面化学反应与材料的制备-杂化材料与自组装第六章 表界面化学反应与材料的制备-杂化材料与自组装 上述前驱体Sol-gel反应后得到的杂化材料／膜结构 侧链含－Si(OR)3基团: 珊与镁痪惫丛葬省契持壁梢骗贩得搬烁叠铰掀鱼畦悦妒怠魔髓危赡噶郸愤第六章 表界面化学反应与材料的制备-杂化材料与自组装第六章 表界面化学反应与材料的制备-杂化材料与自组装 端基含－Si(OR)3基团: Chem. Mater. 11( 1999), 3333-3341 喝亦胚舜瘁丝斌瘸皱船银镑矛菌堤猴捧男奈酝技帧呈足危酒咋锌砾啡诲草第六章 表界面化学反应与材料的制备-杂化材料与自组装第六章 表界面化学反应与材料的制备-杂化材料与自组装 聚合后 sol-gel反应 礼袭开宋眼兄帧绚帝帆瞅油潮持晃坟箍嵌娠距锦瓶悍厩嘲秽汽朴挚渤矮防第六章 表界面化学反应与材料的制备-杂化材料与自组装第六章 表界面化学反应与材料的制备-杂化材料与自组装 2.6.1无机粒子与有机聚合物直接混合 J. Memr. Sci 2004(232) 31-44 将无机杂聚酸(inorganic heteropolyacid HPA)如磷钨酸， 硅钨酸，磷钼酸，硅钼酸与Nafion?的5％溶液混合， 在一Teflon薄板上流涎，加热除去溶剂，从薄板上揭 下，得到杂化膜