微电子产品可靠性要点.ppt

* 发射极条上电流密度分布示意图 * 四，铝的腐蚀 1 铝与金 （1）铝与金的化学势不同，经长期使用或200℃以上高温存贮后将产生Au5Al2、Au4Al、Au2Al、AuAl 和AuAl2等多种化合物，其晶格常数和热膨胀系数均不相同，在键合点产生很大应力，且电导率较低。 其中， AuAl2 — 紫斑； Au2Al — 白斑 反应造成Al层变薄，粘附力下降，接触电阻增大，最后导致开路。 * （2）Au — Al接触在300℃以上容易发生空洞 — Kirkendall效应。这是高温下Au向Al中迅速扩散并形成 Au2Al 的结果。它在键合点四周出现环形空洞，造成高阻或开路。 金-铝球形热压焊出现 的金属间化合物及空洞 A, Au4Al; B, Au5Al2; C, Au2Al。 * 2，铝与环境气氛 （1）当有水、酸、盐气氛存在时，易发生: 或者 （2）电介腐蚀生成 此外 * 3.2.3 铝金属化表面的再结构 电路经多次循环的热冲击（高温少循环或低温多循环）铝金属化表面出现小丘、晶须或皱纹，使表面粗糙化，这种现象称为铝金属化表面的再结构。 铝金属化表面的再结构会引起铝膜薄层电阻增大、极间短路、多层布线层间短路、促使电迁移现象发生以至电极开路等。 * 3.2.3 铝金属化表面的再结构 ⑵ 温升时，Al膜受压应力；冷却时，受胀应力。 2, 应力释放的结果： 产生小丘、晶须、晶粒分裂、空隙、皱纹等。 一 铝膜表面再结构的原因 1，原因：Al-SiO2,Al-Si结构热膨胀系数的不匹配 (1) Al、SiO2、Si的线膨胀系数： * 1，金属薄膜中存在的缺陷 缺陷：实际晶体结构中与理想点阵结构发生偏差的区域。 （1）点缺陷——零维缺陷（空位、间隙原子和杂质原子等） （2）线缺陷——一维缺陷（位错等） （3）面缺陷——二维缺陷（晶粒间界—多晶体内不同取向的晶粒界面） 这些缺陷在空间中有明确可辩的图象，在时间上也具有一定的延续性，所以，在一定程度上可以将这些缺陷当作独立的个体对待。 * 2, 空位和晶界 在热力学平衡状态下，金属膜的空位浓度： 式中,uf 为空位形成能（ev), A1为与形成一个肖特基空位激活熵有关的常数。 (1)空位 定义：如在晶体中抽去处在正常格点上的原子，放到晶体表面上去，就形成所谓的肖特基空位。 * C点称为鞍点（saddle point), 鞍点和正常空位点的能量差为空位移动的激活能Um ; 空位运动过程 空位是可以在晶格中移动的： * 式中,A2为决定于移动激活熵的常数,Z1为配位数。 空位的自扩散 i,空位以频率γ在晶体中的无规则运动称为晶体中空位的自扩散；空位的存在是产生自扩散的条件。 ii,若原子的振动频率为?γ，每次振动跃过势垒Um的概率为 ，则空位移动频率γ为： * 定义: 多晶体内,不同取向的晶粒界面，称为晶粒间界，简称晶界。 i,晶界处结构疏松，位错密度大,空位浓度高； ii,金属多晶膜的内吸附特性,使外来的杂质沉积于晶界处； iii,晶界一般很薄,不超过2-3个原子层。 (2) 晶界 * 3. 多晶材料固态扩散有三个途径： (1) 晶格扩散(或体扩散),扩散系数 DL (2) 晶界扩散,扩散系数 DGB (3) 表面扩散,扩散系数 DS。 一般认为 DS DGB DL 扩散激活能 QS QGB QL 金属薄膜中三种扩散途径示意图 Al、Au金属薄膜的扩散激活能（ev） * 实验发现，这三种扩散均是各向异性的，杂质的存在对扩散速率有影响，这种影响可以加速扩散，也可以减缓扩散。一般来讲，杂质与金属原子若发生反应，便可减缓扩