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光纤传输系统示意图 4.1 光源 1. PN结半导体激光器发光机理 PN结半导体激光器是用PN结作激活区，用半导体天然解里面作为反射镜组成光学谐振腔，外加正向偏压作为泵浦源。 外加正向偏压将N区的电子、P区的空穴注入到PN结，实现了粒子数反转分布，即使之成为激活物质（PN结为激活区）。 在激活区，电子空穴对复合发射出光。初始的光场来源于导带和价带的自发辐射，方向杂乱无章，其中偏离轴向的光子很快逸出腔外，沿轴向运动的光子就成为受激辐射的外界因素， 使之产生受激辐射而发射全同光子。 PN结的能带和电子分布 1. PN结半导体激光器发光机理 这些光子通过反射镜往返反射不断通过激活物质，使受激辐射过程如雪崩般地加剧，从而使光得到放大。在反射系数小于1的反射镜中输出，这就是经受激辐射放大的光 。即PN结半导体激光器产生激光输出的工作原理。 4.1.2 半导体激光器 4.1.2 半导体激光器 4.1.2 半导体激光器 4.1.2 半导体激光器 4.1.2 半导体激光器 4.1.2 半导体激光器 4.1.2 半导体激光器 4.1.2 半导体激光器 4.1.2 半导体激光器 4.1.2 半导体激光器 4.1.2 半导体激光器 4.1.2 半导体激光器 （6）光束发散 半导体激光器的有源区是一个类似于矩形平面的介质波导，有源区的宽度为W，厚度为d，它的出射光束具有椭圆形状。 发散特性可由发散角来描述，发散角定义为光功率密度下降为最大辐射方向功率密度的一半的两个方向之间的夹角。垂直发散角和水平发散角分别为θ⊥和θ∥，可以表示为 发散角越小方向性越好，和光纤的耦合效率越高。 4.1.2 半导体激光器 4.1.2 半导体激光器 分布反馈半导体激光器（DFB-LD）优点是 谱线窄，其线宽大约为普通型激光器线宽的1/10左右，如图所示，从而使色散的影响大为降低，可以实现速率为Gb/s的超高速传输。 4.1.2 半导体激光器 4.1.3 发光二极管 LED三种主要结构： 面发射（Surface emitter)LED 边发射（Edge emitter)LED 超辐射（Superluminescent）LED 4.1.3 发光二极管 4.1.3 发光二极管 4.1.3 发光二极管 4.1.3 发光二极管 面发射LED与光纤的耦合方法 面发光LED与光纤直接耦合，耦合效率很低 将光纤端面做成球形，提高光纤的数值孔径，从而提高耦合效率，一般可提高2～6倍 在LED与光纤之间放置一个削顶圆球透镜，耦合效率可比直接耦合提高20倍左右 直接在LED上制做一个低吸收透镜结构，耦合效率最高 4.1.4 半导体光源的应用 4.2 光电检测器 4.2.1 光电检测器的工作原理 4.2.1 光电检测器的工作原理 4.2.2 PIN光电二极管 4.2.3 雪崩光电二极管 4.2.3 雪崩光电二极管 4.2.3 雪崩光电二极管 4.2.4 光电检测器的特性 4.2.4 光电检测器的特性 4.2.4 光电检测器的特性 4.2.4 光电检测器的特性 （3）响应时间 表征检测器对光信号响应速度快慢的参量。响应时间可以用光检测器的输出脉冲的上升时间和下降时间来表示：上升时间是输出脉冲前沿的10％到90％之间的时间间隔，下降时间是输出脉冲后沿的90％到10％的时间间隔。 响应时间越小越好。 影响光电二极管的响应时间的主要因素有： a.耗尽区光生载流子的漂移时间（耗尽区的电场很高，载流子能达到饱和速度） b.耗尽区以外产生载流子的扩散时间（慢，制约响应时间） c.光电二极管与其相关电路的RC时间常数 4.2.4 光电检测器的特性 c.光电二极管与其相关电路的RC时间常数 光检测器在实际应用中，必须与骈枝电路和前置放大器连接，等效电路如图： 4.2.4 光电检测器的特性 当调制频率ω与渡越时间τd的倒数可以相比时， 耗尽层(I层)对量子效率η(ω)的贡献可以表示为 (4.15)   由η(ω)/η(0)= 得到由渡越时间τd限制的截止频率 （4.16） 式中，渡越时间τd=w/vs，w为耗尽层宽度，vs为载流子渡越速度， 比例于电场强度。 由式(3.19)和式(3.18)可以看出， 减小耗尽层宽度w，可以减小渡越时间τd，从而提高截止频