材料科学基础期末复习知识点(可缩印).docVIP

1、菲克第一定律: 当系统中物质的扩散达到稳定状态时（即物质在各处的质量浓度不随时间而变化），扩散通量（单位时间内通过垂直于扩散方向单位横截面的物质的质量）与物质的浓度梯度（扩散方向上单位距离物质的浓度差）成正比。 2、菲克第二定律: 描述了非稳态扩散系统中扩散原子的分布与时间及所处位置的相互关系，根据应用条件的不同，对此偏微分方程进行求解，可得到一定条件下不同时刻、不同位置处的扩散原子的浓度分布状况。 3、柯肯达尔效应：多元系统中由于各组元扩散速率不同而引起的扩散偶原始界面向扩散速率快的一侧移动的现象称为柯肯达尔效应。说明在扩散系统中每一种组元都有自己的扩散系数。 4、反应扩散：当某种元素通过扩散自金属表面向内部渗透时，该元素含量超过基体金属的溶解度以后会在金属表层形成新相（中间相或固溶体）的现象。N元反应扩散的渗层组织中只有N-1相能够共存，并且相界面浓度是突变的。 5、高分子构象：由于单键内旋导致原子排布方式的不断变换，使分子在空间呈现的不同形态。 6、高分子链的柔顺性：链段长度和整个分子长度的比值。 7、滑移系：一个滑移面和此面上的一个滑移方向合起来称为一个滑移系。 8、取向因子（软取向和硬取向）：分切应力与轴向正应力的比值，可表示为。取向因子越大，分切应力越大，越接近临界分切应力，容易使金属滑移，称为软取向。 9、加工硬化：金属材料经冷变形后，强硬度显著提高，塑性很快下降的现象。 10、固溶强化：随着溶质原子固溶度的增加，基体金属的变形抗力随之提高的现象。 11、柯氏气团：溶质原子与位错的交互作用，溶质原子更倾向于聚集在位错的周围，使位错可动性下降，类似形成了一个溶质原子气团。 12、应变时效：将经过少量变形的试样放置一段时间，或经过短时间低温热处理后再进行拉伸，则屈服点又重新出现，且屈服应力提高的现象。 13、Hall-petch定律：多晶体的强度随着晶粒的细化（晶界面积增大）而增加，屈服强度与晶粒尺寸之间存在线性关系。 14、形变织构：多晶体材料在拉应力作用下，原本任意取向的晶粒趋向于外加应力方向，形成晶体的择优取向，变形量越大，择优取向程度越大，织构越强。 15、蠕变：金属材料在高温恒定载荷 (通常σs) 的持续作用下，会发生与时间相关的塑性变形，应变随时间增加而增大的现象，在温度T≥(0.3-0.5)Tm时尤为明显。 16、超塑性：某些金属材料，在特定条件下拉伸时，可以使材料在较低的流动应力下，得到高达500%~2000%的延伸率，而不发生缩颈，这种特性叫做超塑性。 17、准晶：具有长程周期有序排列，而没有平移对称性的原子聚集状态，可存在不符合传统晶体学的五次、八次、十二次对称轴。 18、脱溶分解：当固溶体因温度变化等原因而呈过饱和状态时，将自发分解，其所含的过饱和溶质原子通过扩散而形成新相析出，此过程称为脱溶分解。 19、调幅分解：过饱和固溶体在一定温度下通过溶质原子的上坡扩散形成结构相同而成分呈周期性波动的两种固溶体。 20、居里温度（尼尔温度）：材料的磁特性受温度的影响，随温度增加，饱和磁化强度逐渐减小，然后急降到零，此时的温度为居里温度。 21、N型半导体：在4价本征半导体中加入5价置换杂质，形成的弱键单电子容易被激发到导带中去，使导带中电子数远超过价带中的空穴数，半导体的电导明显增加，这类材料称为n型半导体，导电性主要由电子浓度决定。 22、P型半导体：在4价本征半导体中加入3价置换杂质，价带电子容易被激发到该掺杂能级中去，使价带中空穴数远超过导带中的电子数，半导体的电导明显增加，这类材料称为p型半导体，导电性主要由空穴浓度决定。 23、声子：晶格振动的能量量子，就是一种具有特定的频率ν、波长λ和一定传播方向的弹性波。 24、受激辐射：处于激发态的原子在外来光子刺激下跃迁到低能态，并发射出频率与入射光相同的光子。 25、自发辐射：在没有任何外界作用下，激发态原子向低能态跃迁并发射光子的现象，是一种随机无序发射。 1. 稳态扩散质量浓度不随时间而变化，非稳态扩散某一点浓度是随时间变化的； 菲克定律:(1)两端不收扩散影响的扩散偶：ρ(x,t)=(ρ1+ρ2)/2+(ρ1-ρ2)*erf(x/2√Dt). (2)一端成分不受影响的扩散体：[ρs-ρ(x,t)]/（ρs-ρ0)=erf(x/2√Dt). x=A√Dt或x2=BDt 3. 上坡扩散：物质从低浓度向高浓度扩散，提高了浓度梯度；扩散驱动力是化学位梯度。扩散结果总是导致扩散组元化学势梯度减小为0. 4. 固体扩散中两种主要的扩散机制：间隙机制和空位机制。 5. 温度对于扩散速率的影响：Arrhenius速率方程D=D0exp(-Q/RT),其中D0扩散常数，Q代表激活能，D为扩散系数。 lnD=lnD0-Q/RT 6. 影响扩散的因素:温度，