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常见薄膜材料参数
常见薄膜材料参数材料 熔点(℃) 蒸发温度(℃) 蒸发方法(1) 密度g/cm2 折射率(2) 吸收消光系数 透明区
μm 膜结构聚集密度p 牢因度(3) 备注 AgBr 434 B 6.47 2.25(0.55μ) 3 AgCl 455 790 B(Mo) 5.56 2.07(0.55μ)
2.02(1μm 0.4~30 S 1 As2S3 300 246 B(Mo,Ta)
S 3.43 2.47(1.06μ)
2.37(10μ) 8×10-3(1.08μ) 0.58~10 无定形 M 1 毒性 As2Se3 B(Mo,Ta) 2.82(3.8μ) 3×10-3(3.8μ) 无定形 M 2 毒性 Al2O3 2020 2100 B(W)E 3.98 1.54(0.55μ,40℃)
1.62(0.55μ,300℃) 2.3×10-3(0.515μ)
8×10-3(1.06μ) 0.2~8 无定形
p=1.0 H,▲▲▲,1 AlF3 900 B 1.38(0.55μ) 0.2~30 无定形
P=0.64(35℃) S T小 Bi2O3 860 P(Pt) 8.3 2.45(0.55μ) 0.4~ FH 1 BiF3 727 B(C) 5.32 1.74(1μ) 8×10-4(10.6μ) 0.26~20 结晶 M C,1 BaF2 1280 B 4.83 1.47(1μ)
1.4(8μ)
1.395(10μ) 5×10-4(10.6μ) 0.25~15 结晶
P=0.91(20℃) M,T小,2 B2O3 450 B(Pt,Mo) 2.46 1.61 T小 BeO 2530 2230 B(W)E 3.01 1.72~1.73 H 毒性 CaF2 1360 1280 B(W,Ta,Mo) 3.2 1.23~1.46(0.55μ) 0.5~12 结晶
p=0.57 FH,T小,1 CeF3 1460 1350 B(W)E 6.16 1.63(0.55μ,300℃)
A=2.588,B=0.1934(300℃) 1.4×10-5(0.633μ) 0.3~5 结晶
P=0.8(30℃) FH,T大,1 CdS 1750 800 B(Pt,Ta) 4.8 2.53(0.6μ,30℃)
A=5.235,B=0.1819 2.9×10-3(0.515μ) 0.55~7 结晶 S C CdTe 1041 B(Mo) 6.2 3.05(1μ)
2.66(10μ) 0.93~30 H,▲,2 CeO3 1950 1600 B(W)E 7.13 2.2(0.55μ,30℃)
2.38(0.55μ,250℃)
A=3.621,B=0.17112 0.4~12 结晶 H C,1 CdSe 1350 700 B(W) 5.81 3.5(1μ) 0.97~ M, ▲,2 材料 熔点(℃) 蒸发温度(℃) 蒸发方法(1) 密度g/cm2 折射率(2) 吸收消光系数 透明区
μm 膜结构聚集密度p 牢因度(3) 备注 CaBr 636 B(W,Mo) 3.04 1.8(25μ)
1.67(3.3μ)
0.23~40 S CaI 626 B 4.51 1.787(0.55μ) 0.25~60 S 3 Cr2O3 2275 1900 B(W)E 5.2 2.1(0.63μ) FH 1 C(金刚石) 3700 2601 E 3.5 2.38(4μ)
A=5.654,B=0.0565 F 1 Dy2O3 2340 E 2.0(0.29μ,350℃)
1.91(0.55μ, 350℃) 0.28~ FH 1 Eu2O3 2050 E 1.88(0.7μ,350℃) 0.3~ FH 1 Fe2O3 1565 E 5.1 2.72(0.55μ) 0.11(0.55μ) 0.8~ M 1 Ge 959 1690 B(C)E 5.3 4.4(2μ)
A=15.992,B=1.8793 1.7~23 无定形(300℃) H,▲,T大,1 GaAs 1338 850 E 5.34 3.2(μ) 0.9~18 无定形 M 2 Gd2O3 2340 2200 RS E 1.8(0.55μ) 0.32~15 FH 1 HfO2 E RS 2.15(0.25μ)
A=3.1824,B0.09188 2×10-3(0.25μ)
7×10-4(0.3μ) 0.22-12 H, ▲▲,1 Ho2O3 2365 E 2.0(
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