第1章半导体器件习题及答案.docVIP

第1章 半导体器件 一、是非题 (注:请在每小题后[ ]内用√表示对,用×表示错) 1、P型半导体可通过在本半导体中掺入五价磷元素而获得。（ ） 2、N型半导体可以通过在本征半导体中掺入三价元素而得到。（ ） 3、在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P型半导体。（ ） 4、P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ ） 5、N型半导体的多数载流子是电子，所以它带负电。（ ） PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）UBE=0.7V，IB=20μA，因此推算出rbe=UBE/IB=0.7V/20μA=35kΩ。（ ） 1、有人测得晶体管在UBE=0.6V，IB=5μA，因此认为在此工作点上的rbe大约为26mV/IB=5.2kΩ。（ ） 1、有人测得当UBE=0.6V，IB=10μA。考虑到当UBE=0V时IB=0因此推算得到 （ ） 、在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生_________。 A. 负离子 B. 空穴 C. 正离子 D. 电子-空穴对 3、半导体中的载流子为_________。 A.电子 B.空穴 C.正离子 D.电子和空穴 4、N型半导体中的多子是_________。A.电子 B.空穴 C.正离子