半导体中载流子的统计分布蓝色培训教程文件.ppt

第三章 半导体中载流子的统计分布 3.1 状态密度 3.2 费米能级和载流子的统计分布 3.3 本征半导体的载流子浓度 3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.5 简并半导体 热平衡状态 在一定温度下，载流子的产生和载流子的复合建立起一动态平衡，这时的载流子称为热平衡载流子。 半导体的热平衡状态受温度影响，某一特定温度对应某一特定的热平衡状态。 半导体的导电性受温度影响剧烈。 如何得到载流子的浓度？ 态密度的概念 能带中能量 附近每单位能量间隔内的量子态数。 能带中能量为 无限小的能量间隔内有 个量子态，则状态密度 为 态密度的计算 状态密度的计算 单位 空间的量子态数 能量 在 空间中所对应的体积 前两者相乘得状态数 根据定义公式求得态密度 3.1.1 k空间中量子态的分布 二 实际半导体硅、锗，导带底附近，等能面为旋转椭球面 EC：极值能量 可计算得 3.2 费米能级EF和载流子的统计分布 3.2.1 费米分布函数和费米能级 3.2.2 玻尔兹曼分布函数 电子的费米分布函数 E-EF》k0T时 知识点小结 1，态密度的概念 2，状态密度的含义，和表达式 3，费米分布与玻尔兹曼分布 4，费米能级的含义及其重要性 5，简并和非简并半导体 常见半导体在室温下的本征载流子浓度： Si: ni=1.5×1010cm-3 Ge: ni=2.4×1013cm-3 GaAs: ni=1.1×107cm-3 堂课小结 3.4 杂质半导体的载流子浓度 本节知识是本章知识的重点和难点 难点1杂质电离情况随温度升高的变化 难点2其中容易混淆的离子的分类：掺杂浓度、未电离的电子和空穴浓度、电离的电子和空穴浓度、半导体内导带和价带的总的载流子浓度 3.4.1 杂质能级上的电子和空穴 能带中的能级：可以容纳自旋方向相反的两个电子 杂质能级:只能容纳某个自旋方向的电子 3.4.2 n型半导体的载流子浓度 考虑只含一种施主杂质的n型半导体 理解EF随T变化： T变化 电离的杂质浓度改变 导带电子数发生变化 EF变化。 导带电子浓度由杂质电离提供 电中性方程： 解得： 思考题： 半导体器件工作的高温极限温度？ 半导体器件正常工作时，要求电子和空穴浓度有很大差别。 本征温度Ti，超过这个温度器件降失去电学实用价值，如pn结将失去整流特性。 如何计算Ti: 实际应用中，对于宽带隙半导体，激发电子从价带到导带需要更高的能量，本征温度Ti也会更高，所以宽带隙半导体适合做高温器件。 Ti(Ge)=385K Ti(Si)=540K Ti(GaAs)=700K 总结 总结n型半导体中，费米能级随温度变化的规律？ 3.5 一般情况下的载流子统计分布（自学） 思路： 电中性条件 设半导体中存在若干种施主杂质和若干种受主杂质，电中性条件：单位体积正负电荷数相等 3.6 简并半导体（自学） 重掺杂时， n型半导体，费米能级进入导带 p型半导体，费米能级进入价带 此时， 3.6.3 低温载流子冻析效应（了解） 如右图，当温度高于 100K时，硅中施主杂质全部电离；而温度低于100K时，施主杂质只有部分电离，还有部分载流子被冻析在杂质能级上，对导电没有贡献，称为低温载流子冻析效应。 3.6.4 禁带变窄效应（了解） 定义：重掺杂时，禁带宽度将变窄。 思考题与自测题 1. 半导体处于怎样的状态才能叫处于热平衡状态？其物理意义如何。 2. 什么叫统计分布函数？费米分布和玻耳兹曼分布的函数形式有何区别？在怎样的条件下前者可以过渡到后者？为什么半导体中载流子分布可以用玻耳兹曼分布描述？ 思考题与自测题（续） 3. 说明费米能级的物理意义。根据费米能级位置如何计算半导体中电子和空穴浓度？如何理解费米能级是掺杂类型和掺杂程度的标志？ 4. 写出半导体的电中性方程。此方程在半导体中有何重要意义？ 5. 若n型硅中掺入受主杂质，费米能级升高还是降低？若温度升高当本征激发起作用时，费米能级在什么位置？为什么？ 思考题与自测题（续） 6. 为什么硅半导体器件比锗器件的工作温度高？ 7. 当温度一定时，杂质半导体的费米能级主要由什么因素决定？试把强n、弱n型半导体与强p、弱p半导体的费米能级与本征半导体的费米能级比较。 8. 如果向半导体中重掺施主杂质，就你所知会出现一些什么效应？ 图示五种不同掺杂情况的半导体的费米能级位置 　　从左到右，由强p型到强n型，EF位置逐渐升高。 　　强p型中，NA大，导带中电子最少，价带中电子也最少，故可以说