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半导体二极管及其基本应用电路优秀讲义
多媒体技术与应用 第1章 计算机基础知识 《计算机基础》 第三章 图形与图像处理 3.1 本导体基础 3.1.3 本征半导体 3.1.3 本征半导体--本征激发 3.1.3 本征半导体--本征激发 3.1.3 本征半导体—载流子 3.1.4 杂质半导体 3.1.4 杂质半导体—N型半导体 3.1.4 杂质半导体—P型半导体 3.1.4 杂质半导体 3.2 PN结 3.2.3 PN结--单向导电 3.2.3 PN结--单向导电 3.2.3 PN结--单向导电 3.2.3 PN结--伏安特性 3.2.3 PN结--伏安特性 3.2.5 PN结—电容效应 3.2.5 PN结—电容效应 3.3 半导体二极管 3.3.1 半导体二极管的常见结构 3.3.1 半导体二极管的常见结构 3.3.1 半导体二极管的常见结构-型号 3.3.2 二极管的伏安特性 3.3.3 二极管的主要参数 半导体二极管的参数包括最大整流电流IF、最高反向工作电压UR、反向电流Is、最高工作频率fM等。 (1) 最大整流电流IF——二极管长期连续工作时,允 许通过二极管的最大整流电流的平均值。 (2) 最高反向工作电压UR——在实际工作时,二极管 允许加的最高电压, 7天连锁酒店经济房一般只按反向击穿电压UBR 的一半计算。 3.4 二极管的基本电路和分析方法 3.4.2 基本应用电路-半波整流 3.4.2 基本应用电路-全波整流 3.4.2 基本应用电路-全波整流 3.4.2 限幅电路 3.4.2 基本应用电路-开关电路 3.4.2 二极管小信号模型 3.4.2 二极管小信号模型 3.4.2 二极管小信号模型 微变等效电路是小信号模型。是指二极管的端电压或电流在某一固定值附近作微小变化时的模型。 2.4.2 二极管的等效电路 3.5 特殊二级管—稳压二极管 稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊硅二极管。稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊二极管 3.5.1 稳压二极管的主要参数 (1) 稳定电压UZ ——在规定的稳压管反向工作电流IZ 下,所对应的反向工作电压。 3.5.1 稳压二极管的主要参数 3.5.1 稳压原理 小结 理解半导体的基本知识 掌握二极管的伏安特性和指标 掌握二级管电路的分析方法 熟悉二级管动态特性和稳压管的使用 UO1≈1.3V,UO2=0,UO3≈-1.3V,UO4≈2V,UO5≈1.3V, UO6≈-2V。 交流信号:正向导通,负向截止! 特殊情况下,二级管可以通交流?小信号叠加 图示电路中,VDD = 5V,R = 5k?,恒压降模型的VD=0.7V,vs = 0.1sinwt V。(1)求输出电压vO的交流量和总量;(2)绘出vO的波形。 微变等效电路 这时,用动态电阻来等效。如图所示: 当稳压二极管工作在反向击穿状态下,工作电流IZ在Izmax和Izmin之间变化时,其两端电压近似为常数 稳定电压 正向同二极管 反偏电压≥UZ 反向击穿 + UZ - 限流电阻 (2)最大耗散功率 PZM ——稳压管的最大功率损耗, 取决于PN结的面积和散热等条件。反向工作时, PN结的功率损耗为 PZ= UZ IZ,由 PZM和UZ可以 决定IZmax。 (3)最大稳定工作电流IZMAX 和最小稳定工作电流 IZMIN ——稳压管的最大稳定工作电流取决于最 大耗散功率,即PZmax =UZIZmax 。而Izmin对应 UZmin。 若IZ<IZmin,则不能稳压。 (4) 温度系数 ——温度的变化将使UZ改变,在 稳压管中,当?UZ? >7 V时,UZ具有正温度系数, 反向击穿是雪崩击穿。 当?UZ?<5 V时, UZ具有负温度系数,反向击穿是齐纳击穿。 当5 V<?UZ? <7 V时,稳压管可以获得接近零的温度系数。这样的稳压二极管可以作为标准稳压管使用。 1. 稳压原理——利用稳压管的反向击穿特性。 由于反向特性陡直,较大的电流变化,只会引起较小的电压变化。 3.5.1 稳压原理 稳压原理: (1) 当输入电压变化时 Ui Uo基本不变 I IZ 由图知: 使稳压管的电流变化范围之内 3.5.1 稳压原理 (2)当负载电流变化时 稳压过程: IL Uo基本不变 IZ IR基本不变 RL 稳压管的电流变化范围应大于负载电流的变化范围 3.5.1 限流电阻计算 (1)当输入电压最小,负载电流最大时,流过稳压二极管的电流最小。此时IZ不应小于IZmin,由此可计算出稳压电阻的最大值。即 对应最小电流 (2)当输入电压最
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