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(2) 反向特性 IS= 硅管小于1微安 锗管几十到几百微安 O iD 正向特性 击穿电压 死区电压 U(BR) 反向特性 uD a. 当 时， 。 b. 当 时， 反向电流急剧增大， 二极管发生反向击穿。 3 温度对半导体二极管特性的影响 (1) 当温度上升时，死区电压、正向管压降降低。 △uD/ △T = –（2~2.5）mV/ °C (2) 温度升高，反向饱和电流增大。 即 温度每升高1°C，管压降降低（2~2.5）mV。 即 平均温度每升高10°C，反向饱和电流增大一倍。 从二极管的伏安特性可以反映出：  1. 单向导电性 2. 伏安特性受温度影响 T（℃）↑→在电流不变情况下管压降u↓ →反向饱和电流IS↑，U(BR) ↓ T（℃）↑→正向特性左移，反向特性下移 正向特性为指数曲线 反向特性为横轴的平行线 非线性的伏安特性给我们的分析、设计带来不便，可根据二极管的实际工作状态建立适当的模型。 物理模型——精确却复杂，需计算机辅助分析、设计 近似模型——近似却简单 二、二极管的等效电路（模型） 1、 伏安特性折线化 （a）理想二极管 导通时正向压降为0，截至时反向电流为0 （b）恒压源模型 导通时正向电压为一恒值UD——导通电压，截止时为0，硅：0.7V，锗：0.2V （c）正向导通电压与电流成线性关系，考虑体电阻rD 例： 选用模型 a 选用模型 b 选用模型 c 三个模型误差：a＞b＞c， 常选用模型（b） 例： 断开：正向导通 UD＝V1－UD＝5.3V 闭合：反向截止UD＝12V Q越高，rd越小。 当二极管在静态基础上有一动态信号作用时，则可将二极管等效为一个电阻，称为动态电阻，也就是微变等效电路。 ui=0时直流电源作用 小信号作用 静态电流 2. 微变等效电路 例： 在直流分量（V－UD）上叠加一正旋波，频率同ui，幅值取决于rd与R的分压。 1.2.3　二极管的主要参数 1. 最大整流电流 IF 二极管长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。 2. 最高反向工作电压 UR 　　工作时允许加在二极管两端的反向电压值。通常将击穿电压 UBR 的一半定义为 UR 。 3. 反向电流 IR 通常希望 IR 值愈小愈好。 4. 最高工作频率 fM 　　fM 值主要 决定于 PN 结结电容的大小。结电容愈大，二极管允许的最高工作频率愈低。 半导体二极管的应用 1. 在整流电路中的应用 整流 —— 将交流电变成直流电的过程 整流电路 —— 完成整流功能的电路 2. 在检波电路中的应用（无线通信） 3. 限幅电路 二极管反向击穿特性的应用：二极管在反向击穿时，一定电流范围内，反向端电压几乎不变。 1.2.5　稳压管 1、伏安特性 正向：与普通二极管相同 反向：外加反向电压达到一定值时击穿，击穿区很陡，稳压特性好。一定电流范围内不会热击穿，UZ表示反向击穿且稳定的电压。 进入稳压区的最小电流 不至于损坏的最大电流 符号: 工作条件：反向击穿 一般应用于稳压电源和限幅电路中。 阳极 阴极 2、主要参数 (1). 稳定电压 UZ 流过规定电流时稳压管两端的反向电压值。 (2). 稳定电流 IZ 使稳压管正常工作时的参考电流，如电流小于 IZ时稳压性能变差。 (3). 最大工作电流 IZM 最大耗散功率 PZM P ZM = UZ IZM PZM是由管子允许温度升高限定的最大功率损耗。 (4). 动态电阻 rZ 几 ? ? 几十 ? iZ /mA uZ/V O ?UZ ? IZ ? IZm ?UZ ?IZ rZ是稳压管在稳定工作范围内，管子两端电压的变化量与相应的电流变化量之比。 rZ越小，稳压作用越好。 (5). 稳定电压温度系数 αU 温度变化1℃时，稳定电压变化的百分数。 温度系数越小，稳压管的温度稳定性越好。 rZ = ?UZ / ?IZ 具有温度补偿的硅稳压管 把一只αU为正的管子与另一只 αU为负的管子串联 将两只αU 为正的稳压管串联 (1) DZ1 DZ2 (2) VDZ R 使用稳压管需要注意的几个问题： UO IO + IZ IR UI + 　　1. 外加电源的正极接管子的 N 区，电源的负极接 P 区，保证管子工作在反向击穿区； RL 　　2. 稳压管应与负载电阻 RL 并联； 　　3. 必须限制流过稳压管的电流 IZ，不能超过规定值，以免因过热而烧毁管子。一般串联一个限流电阻。 第一章　半导体