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集成电路工艺作业 第一章 半导体衬底 1、列举生产半导体级硅的三个步骤，给出反应方程式。说明半导体级硅有多纯？ 2、为什么要用单晶进行硅片制造？ 3、CZ单晶生长法定义 Czochralski(CZ)－查克洛斯基法生长单晶硅，把熔化了的半导体级硅液体变为有正确晶向并且被掺杂成n型或p型的固体硅锭。85％以上的单晶硅是采用CZ法生长出来的。 CZ法特点： a. 低功率IC的主要原料。 b. 占有～80％的市场。 c. 制备成本较低。 d. 硅片含氧量高。 4、影响CZ法直拉工艺的两个主要参数是什么？ 拉伸速率和晶体旋转速率。 5、区熔法的特点是什么？ a. 硅片含氧量低、纯度高。 b. 主要用于高功率IC。 c. 制备成本比CZ法低。 d. 难生长大直径硅晶棒。 e. 低阻值硅晶棒掺杂均匀度较差。 7、使用更大直径硅片的主要原因是什么？ 300mm硅片比200mm硅片面积大2.25倍，这样就会在一块硅片上生产更多的芯片。每块芯片加工和处理时间都减少了，设备生产效率提高了。使用300mm直径的硅片可以把每块芯片的成本减少30％。节省成本是驱使半导体业转向使用更大直径硅片的主要原因。 8、硅中的晶体缺陷：点缺陷、位错、层错。 第二章 氧化 1、半导体器件生产中使用的介质材料有二氧化硅、氮化硅、多晶硅、硅化物。 2、二氧化硅的基本性质有哪些？ a、可以方便地利用光刻和刻蚀实现图形转移、b、可以作为多数杂质掺杂的掩蔽、c、优秀的绝缘性能、d、很高的击穿电场 (107 V/cm)、e、体电学性能稳定、f、稳定、可重复制造的Si/ SiO2界面 3、金属层间绝缘阻挡层目的：用于金属连线间的保护层。 4、热生长SiO2 的各种运用对厚度有不同要求 栅氧（0.18μm工艺）：20~60埃；STI隔离氧化物：150埃；场氧：2500～15000埃 5、有几种类型的电荷存在于氧化层内部或在SiO2和Si/SiO2界面附近？ a)界面陷阱电荷; b)固定氧化层电荷; c)移动离子电荷; d)大量氧化层陷阱电荷 6、干氧和湿氧氧化反应方程式及氧化层的特点？ 这两种反应都在700 oC～1200 oC之间进行，湿氧氧化比干氧氧化反应速率约高10倍。在实际工艺应用中，对于SiO2膜厚度需要几千?以上的情况，一般采用干氧+湿氧+干氧的方式，既保证了所需的厚度，又改善了表面的完整性和解决了光刻时的浮胶问题。 7、1 (m厚SiO2消耗0.46 (m Si 8、Deal－Grove 迪尔－格罗夫模型适用于： 氧化温度700～1200 度； 局部压强0.1～25个大气压； 氧化层厚度为20～2000 nm的湿氧和干法氧化 9、压强对氧化速率的影响 a、如果要达到给定的氧化速率，增加气压，则氧化温度可以降低 b、如果在同样温度下生长一个给定的氧化层厚度，增加气压，则氧化时间可以减少。 10、氯对氧化速率的影响：氯的介入会使二氧化硅增加许多物质特性，已经报道过的这些增加的特点有：a)二氧化硅中移动电荷减少；b)底层硅少数载流子寿命延长；c)氧化层缺陷数量减少，使得二氧化硅击穿强度增大；d)界面电荷以及固定电荷浓度减小；e)由于氧化导致底层硅的层错数量减少，所以在VLSI中通常就采取这样的措施，即故意在干氧的过程加氯。氯存在的潜在不良影响是在低氧气流情况下对Si进行各向异性刻蚀。 11、晶向对氧化速率的影响：（111）晶向氧化最快，（100）最慢 11、等离子体对氧化速率的影响：一个等离子体环境能够加快氧化速率。 12、光子对氧化速率的影响：在氧化环境中对硅是直接进行光照（光子），硅片的氧化速率会增加，这种效应被称为光子辅助氧化。 13、氧化层厚度的测量：许多技术适用于氧化厚度的测量，最重要的有：a）光学干涉法；B）椭圆对称法；c）电容法；d）色谱的应用。 14、生长氧化层与淀积氧化层之间的区别是什么？p210 15、为什么栅氧要用热生长？p213 17、说明干法氧化的化学反应式，通常发生反应的温度范围。P215 18、说明干法氧化的化学反应式，与干法相比是快还是慢,为什么？p215 19、如果热生长氧化层厚度为2000A，那么Si消耗多少？p215 20、列举氧化工艺中掺氯的两个优点。 21、描述氧化物的生长速率，影响这种速率的参数是什么？ 23、等离子体对氧化物生长的影响是什么？p219 24、LOCOS是什么？热氧化中如何使用？鸟嘴效应是什么？为什么它不受欢迎？ 补充：25、氧化工艺迪尔－格罗夫模型的抛物线速率常数B与晶向无关，线性速率常数B/A与晶向有关。 第十章 IC 工艺集成 1、什么是浅槽隔离STI？（即简要描述浅槽隔离STI），它取代了什么工艺？为什么？ 浅槽隔离是在衬底上通过刻蚀槽、氧化物填充及氧化物平坦化等步骤，制作晶体管有源区之间