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变温霍尔效应.ppt
2,根据磁场方向和霍尔电压符号,判断样品的导电类型; 3,计算室温下样品的霍尔系数、电导率以及霍尔迁移率。 实验装置 实验阱:液氮槽、霍尔片(以及电缆),中空阱壁可抽成真空,旋转永磁铁。 主控箱:电源,电压、电流测量仪表。 温度控制器:升温以及测温仪表。 本实验综合了真空、低温、镀膜、电磁学以及半导体物理方面的知识和技术, 注意体会消除系统误差的方法, 灌液氮时避免飞溅造成冻伤, 用ORIGIN处理数据并作图。 谢谢! 若所掺杂质的价态小于基质的价态,这种杂质是受主杂质,它的能级处在禁带中靠近价带顶的位置(受主能级),受主杂质很容易被离化,离化时从价带中吸引电子,变为负电中心,使价带中出现空穴,呈空穴导电性质,这样的半导体为p 型半导体。 电导率和载流子迁移率 载流子的浓度和运动状态对半导体的导电性质和发光性质等起到关键的作用。 当电流I 通过长为L 横截面积为S 的导体后电压降V,则电导率(单位电场强度产生的电流密度): 若空穴的平均漂移速度为 ,电流密度可写成: 式中p为空穴浓度,e 为电子电荷。 其中μp为空穴漂移的迁移率,它 定义为单位电场强度作用下空穴载流 子所获得的平均漂移速度。 此式为空穴的电导率。 对于n 型半导体 其中n 为电子浓度, μn 是电子迁移率。 半导体中同时有两种载流子导电时, 电导率 为二者之和。 半导体中同时有两种载流子导电时,电导率为 分别为晶格散射和杂质散射决定的迁移率,合成迁移率为倒数之和。迁移率的物理意义为单位电场强度使载流子在电场方向上具有的速度, 。 掺杂半导体电导率σ随温度的变化也可以分为三个区域来讨论。在低温区,载流子由杂质电离产生,随温度升高,载流子浓度增加,杂质散射作用减弱,迁移率μ增加,因而电导率σ随温度升高而增加;在温度较高的杂质电离饱和区,此时杂质已全部电离,而本征激发不明显,所以载流子浓度基本上保持不变,这时晶格散射已占主导地位,迁移率随温度升高而下降,导致σ 随温度升高而降低。 在高温本征区,本征激发产生的载流子浓度随温度升高而指数增加使电导率增加,虽然由于热振动,迁移率随温度升高而降低,但前者对电导率的作用远远超过后者,因而电导率随温度升高而急剧增大。 霍尔效应 在洛仑兹力FB 的作用下,带正电的载流子沿-y 方向偏转,由于样品的尺寸有限,载流子在边界堆积起来,产生一个与FB 相反的电场力FE。当这两个力相平衡时,在A、B 两侧产生一个稳定的霍尔电位差VH,这样形成的电场称为霍耳电场EH 。 霍尔系数和霍尔迁移率 霍耳电场的大小是与电流密度j和磁场B的乘积成正比的,可写成 式中的比例系数RH 叫做霍耳系数。若电流是均匀的,电流密度可表为j = I / wd, 霍耳电场与霍尔电压的关系 W为霍耳电压电两端的距离。 式中各量单位为I(安培)、 (伏特)、d(厘米)、B(高斯)、 霍尔系数物理意义:单位磁感应强度对单位电流强度所能产生的最大霍耳电场强度。 在考虑霍尔效应时,由于载流子沿y 方向发生偏转,造成在x 方向定向运动的速度出现统计分布。在考虑电导迁移率μ = v /E 时,应采用速度的统计平均结果 ,由此得到: ,这样引入的迁移率 称为霍尔迁移率。 稳态时,y 方向的电场力与洛伦兹力相抵消,故有 p型半导体霍尔系数的表达式: 对n 型半导体则有 分别为空穴、电子的霍尔迁移率与电 导迁移率之比,近似取1,一般可不 加以区别。 在两种载流子均存在的情况下,如果仍考虑简单能带结构及晶格散射和弱场近似,那么两种载流子混合导电的霍尔系数为: 对于本征半导体,一个电子从价带中跳到导带中便在价带中产生一个空穴,所以 p=n 霍尔系数与温度的关系及载流子浓度测量 以P 型半导体为例,从低温杂质电离区到本 征激发的高温区,作图 曲线的特点是较低温度下RH 0 ,较高温度下RH 0 且有极值。 几个系统误差 Ettinghausen effect 速度大的载流子受洛伦兹力作用,偏向一侧,使得半导体两侧温度不同;而电极与半导体有接触电位差,产生温差电动势 叠加到霍耳电压上。 Nernst effect 电流两端电极与基底接触电阻不同产生不同的焦耳热,造成温差。沿温度梯度扩散的载流子受磁场偏转产生电位差,叠加到霍尔电压。 Righi-Ledue effect 在能斯特效应中,载流子受磁场偏转,速度不同的载流子使得半导体两侧产生附加温差,再次产生爱廷豪森效应。 不等位电势: 测量电压的电极位置不对称,通电时处于不同的等位面,这是即使没有磁场,也有电位差存在。而在测量霍耳效应时,将叠加到霍尔电压上。在实验之前应校准并消除
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