基准电流源设计.docVIP

sub-1 V无参考电压的工艺补偿CMOS基准电流产生器 Siva Narendra, Daniel Klowden, and Vivek De Microprocessor Research Laboratory, Intel Corporation, Hillsboro, OR, USA 摘要： 本文提出了一种不需要参考电压的sub-1V工艺补偿的MOS电流产生器的概念。这个理念的理论模型表明，这种电流源对栅极氧化层厚度和阈值电压等工艺参数敏感度较低。MOSFET的器件测试和电路模拟结果都显示了较低的工艺敏感度和较低的运行电压。 简介 之前发表的关于参考电流的工作基本可以归于一下三类：i带隙电压到基准电流的转化ii基于MOSFET的基准电压到基准电流的转化iii使用MOSFET晶体管的直接基准电流产生器。 第一类需要带隙电压发生器和一个片外电阻。片外电阻不仅增加了系统成本也限制了基准电流电路的使用。即使是最好的带隙电压产生电路也不能在达到sub-0.7V的CMOS工艺电压源下很好的工作。第二类电路通过基于MOSFET的基准电压代替带隙电压解决了电压缩放的问题。但是从式（1）可以看出基于MOSFET的基准电压器件在0K时会产生阈值电压，因此它并不能真正的不依赖与工艺参数。另外，这些电路仍然要使用片外电阻。尽管已经有人