【2017年整理】第五章、低温红外检测多晶硅中C.docVIP

低温红外检测多晶硅中C、O Ⅲ-Ⅴ元素的含量 硅中氧的检测： 氧是Ⅵ族元素，如果在硅晶体中以替代位存在，将成为施主杂质，对硅晶体提供电子。但是，硅中氧大部分是以间隙态存在的，位于硅－硅键中间偏离轴向方向，键角为129度，它和它周围的两个硅原子以共价键结合，所以间隙位的氧原子在硅中是电中性的。间隙位的氧原子结构图如图 1所示。 图1 硅中氧原子的结构示意图 由于氧处在硅中的间隙位置，在高温时以间隙形式扩散，因此它是一种快扩散杂质，其扩散系数为： cm2k-1 其中D为扩散系数，k为玻尔兹曼常数，T是绝对温度。在300－1280℃之间，氧的扩散系数为10-9－10-22cm2s-1。图 2左侧是间隙氧的扩散系数随温度的变化关系，从图中可以看出，在700℃以上和400℃以下，实验值和公式吻合的很好。但是在400－700℃之间，氧发生异常扩散，这个公式不能适用。 图2 硅中间隙氧的扩散系数和固溶度随温度变化的关系 一般来讲，间隙氧在硅中的浓度要受其固溶度的限制，为1018cm-3数量级左右。图2右侧是氧的固溶度和温度的变化关系曲线。在硅的熔点附近，氧的平衡溶解度约为2.75×1018 cm-3。随着晶体硅温度的降低，硅中氧的固溶度会逐渐下降，在高温1000℃以上其表达式为 cm-3 其中C（o）是硅中间隙氧的浓度，k是玻尔兹曼常数，T是绝对温度。随着温度的降低，过