提高LED发光效率的方法供参习.docVIP

如何提高LED发光效率 王文瀚12S011029 1 发光二极管(Light Emitting Diode, LED)是一种可将电能转换为光能的有源电子器件，属于电致发光固态光源。与传统的光源相比，具有体积小、寿命长、电压低、节能和环保等优点，是下一代照明的理想选择。但半导体折射率很高，由于全反射等因素，有源层产生的光绝大部分在LED内部转换为热能白白损耗掉了，能够辐射到自由空间的光占很小部分，使传统LED的出光效率仍然很低，因此提高LED的出光效率在节能减排的今天具有重要的意义。本文首先简要介绍了LED发光原理，并总结了几种主流的提高LED发光效率的方法。 2 LED发光原理 发光二极管核心是PN结，因此它具有一般PN结的电流电压特性，即正向导通，反向截止或击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光，如图1所示。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN结面数微米以内产生。有几种机制会影响正向电压的高低，包括接触电阻、透明导电层及P型与N型半导体内的载流子浓度及载流子迁移率。 图1 LED发光原理 3.1 内量子效率 ηint表示： 3.2 外量子效率 一般LED都以平面结构生长在有光吸收功能的衬底上，上面以环氧树脂圆顶形封装，这种结构的光取出效率非常低，仅为4％左右，所以只有一小部分的光被放出，主要原因有：一是电流分布不当以及光被材料本身所吸收；二是光不易从高折射率的半导体传至低折射率的外围空气(n=1)。由于LED材料折射率很高，当芯片发出光在晶体材料与空气界面时，会发生全反射现象，晶体本身对被折回的光有相当一部分的吸收，于是大大降低了外部出光效率。 4 提高LED发光效率的方法 早期LED组件发展集中在提升其内部量子效率，方法主要是利用提高芯片的质量及改变芯片的结构，使电能不易转换成热能，进而间接提高LED的发光效率，而可获得约70％左右的理论内部量子效率。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率已有了非常大的改善，如波长625nm AlGalnP基超高亮度发光二极管的内量子效率可达至100％，已接近极限。半导体材料本身的光电转换效率已远远高过其它发光光源，因此现在提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。目前国内外采用的主要技术途径和发展状况阐述如下： 4.1 改变芯片外形的技术 ?侧壁倾斜角用于提高光取出效率，此方法目前已形成规模量产。由LED有源层所发出的光，皆为全向性，有部份的光因为折射或反射的关系，沿着水平方向发射出去，这部分光线只是增加光的发散而对元件的发光效率并没有多大帮助，应让光线更多的从正面发射出来。在GaN基LED中，根据斯涅尔定律θ=sin-1(nair/nGaN) (nair=1，nGaN =2.5)，即由公式算出其折射临界角约为23?，故可以采用H3P04和H2S04混合溶液并利用湿法蚀刻的方式在一定温度下，使GaN材料与垂直侧边形成一个约23?的侧壁倾角，改变光线的传输方向，使光从正面射出，光亮度更为集中，从而亮度获得提升。如此一来，便可增加光的侧壁全反射机率，其结果如图2所示。这样便可使器件的发光亮度更为集中，从而亮度获得提升。 (a)光由水平方向射出； (b)使用约23?侧壁倾角结构 图2 使用侧壁倾角技术提高出光率原理4.2 倒装芯片技术 GaN基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上，欧姆接触的P电极和N电极只能制备在外延表面的同一侧，正面射出的光部分将被接触电极所吸收和键合引线遮挡。造成光吸收更主要的因素是P型GaN层电导率较低，为满足电流扩展的要求，覆盖于外延层表面大部分的半透明Ni-Au欧姆接触层的厚度应大于5-10nm，但是要使光吸收最小，则Ni-Au欧姆接触层的厚度必须非常薄，这样在透光率和扩展电阻率二者之间则要给以适当的折衷，折衷设计的结果必定使其功率转换的提高受到了限制。2001年Lumileds公司报道了倒装焊技术在大功率AlInGaN基芯片上的应用，避免了电极焊点和引线对出光效率的影响，改善了电流扩散性和散热性，背反射膜的制备将传向下方的光反射回出光的蓝宝石一方，进一步提升出光效率，外量子效率达21％，功率换效率达20％(20mA，435nm)，最大功率达至400mW(驱动电流1A，435nm，芯片尺寸lmm*lmm)，其总体发光效率比正装增加1.6倍。 4.3生长分布布拉格反射层(DBR)结构 通过外延技术生长具DBR层的GaN基芯片，DBR是两种折射率不同的材料周期交替生长的层状结构，它在有源层和衬底之间，能够将射向衬底的光反射回表面或侧面，可以减少衬底对光的吸收，提高出光效