半导体器件原理.docVIP

半导体物理基础 本章主要讨论半导体物理的基本内容，包括半导体材料、半导体能带、本征载流子浓度、载流子输运现象、非本征载流子及半导体的光学性质。具体内容详见刘恩科《半导体物理学》一书。 半导体器件原理：半导体器件是根据半导体中的各种效应制成的，利用pn结单向导电效应，光电效应，雪崩倍增效应，隧道效应等可以制成各种半导体结型器件。利用半导体中载流子的能谷转移效应，可以制成体效应器件。利用半导体与其他材料之间的界面效应，可以制成各种界面器件。半导体中的各种效应是由半导体内部的电子运动而产生的。因此要了解半导体器件的工作原理，就要掌握构成半导体器件物理基础的半导体中的电子运动规律，对半导体的能带、载流子的分布及其输运等特性有一个基本认识。 §1.1 晶体结构和半导体材料 本节简要讨论有关晶体结构和半导体材料的基本知识。 半导体材料 自然界存在的固体材料中，按其结构形式可分为晶体及非晶体两类；按其导电能力则可分为导体、绝缘体和半导体三类。制造晶体管和集成电路的材料属于半导体晶体。半导体材料的研究始于19世纪初，元素半导体硅、锗，化合物半导体砷化镓、碳化硅、硫化锌等。1947年发明晶体管之前，半导体只应用于各种整流器和光敏二极管之类的器件。 50年代初，Ge是主要的半导体材料，Ge器件漏电流大，尤其实在高温下。GeO可溶于水，因此氧化物隔离困难，不利于器件的制造。 60年代初，Si材料取代Ge成为主要，现在Si器件占市场的80％。Ge器件也有自己的用途和应用场合。 许多化合物半导体材料具有比Si更优越的电学性质，如GaAs，主要用于微波、光电方面，SiC主要用于高温高电压耐辐照方面。 晶体结构 主要有简单立方结构、体心立方结构、面心立方结构等。 (a)硅晶体的平面结构示意图 (b) 硅晶体的立体结构示意图 图1.1硅晶体的结构示意图 硅、锗等半导体都属于金刚石型结构，在化学元素周期表中位于IV族，其最外层有4个电子，称为价电子，它们分别和周围四个硅原子组成四个共价键，结合成晶体。图1.1（a）是形象地说明硅原子靠共价键结合成晶体的一个平面示意图。图1.1b是金刚石型结构。 III-V族化合物（如砷化镓等）大多是属于闪锌矿型结构，与金刚石结构类似。 图1.2 用密勒指数表示晶面: 晶面ABCD的密勒指数(110);晶面AGFD的密勒指数(100); 晶面CDE的密勒指数(111) 从图1.1b可以看到，沿晶格的不同方向，原子排列的周期和疏密情况是不相同的。因此沿晶体的不同方向，晶体的机械、物理特性也是不相同的，这种情况称为晶体的各向异性。（100）晶面垂直于〈100〉晶向，图1.2列出了三个最主要晶面的密勒指数（即括号中的三个数）。它是这样得到的： ①确定某一平面在直角坐标系三个轴上的截点,并以晶格常数为单位测出相应的截距; ②取截距的倒数,然后约化为三个最小的整数,这就是密勒指数。 如图1.2所示，晶面ABCD在坐标轴上的截距为1、1、(，其倒数为1、1、0，它的密勒指数便是（110）。对于金刚石结构，（100）面原子密度最小，（111）面原子密度最大。 价键 每个原子有4个最近邻原子以共价键结合，低温时电子被束缚在各自的正四面体晶格内，不参与导电。高温时，热振动使共价键破裂，每打破一个键，就得到一个自由电子，留下一个空穴，即产生一个电子空穴对。 §1.2 半导体能带结构 1 电子的共有化运动 晶体是由大量的原子结合而成的，因此各个原子的电子轨道将有不同程度的交叠。电子不再局限于某个原子，而可能转移到其他原子上去，使电子可能在整个晶体中运动。晶体中电子的这种运动称为电子的共有化。由于晶格是势场的周期性函数，我们有 (1) 式中V（x）为周期性势场，s为整数，a为晶格常数。势场的周期与晶格周期相同。晶体中的电子在周期性势场中运动的波函数其振幅随x作周期性变化，其变化周期与晶格周期相同，这反映了电子不再局限于某个原子，而是以一个被调幅的平面波在晶体中传播。基本方程为薛定谔方程： (2) 2 能带的概念 晶体中电子处在不同的（波矢）状态，描述电子能量与电子在晶体中做共有化运动的波矢之间的关系E（）称为能带结构。E（k）也是k的周期性函数，所以可以只取(称为第一布里渊区)一段来描述电子的能量状态，在这个区域内，E为k的多值函数。 固体的量子理论认为，当原子凝聚成固体时，由于原子间的相互作用，相应于孤立原子的每个能级加宽成间隔极小（准连续）的分立能级所组成的能带，能带之间隔着宽的禁