ZrB2–MoSi2–SiC复合材料在1500℃空气气氛下的氧化性研究.docVIP

ZrB2–MoSi2–SiC复合材料在1500℃空气气氛下的氧化性研究 摘要： 我们主要研究的是热压烧结的ZrB2–MoSi2–SiC复合材料的氧化性，以及添加不同体积分数含量SiC（55ZrB2–40MoSi2–5SiC ，40ZrB2–40MoSi2–20SiC）对抗氧化性的影响，研究方法：在1500℃干燥空气气氛下保温10小时。而后对氧化后的复合材料的化学成分进行电子探针定量分析。在各个复合材料中都会观察到抛物线氧化行为。研究表明在ZrB2–MoSi2–SiC复合材料中添加SiC会提高抗氧化性，并且抗氧化性会随着碳化硅含量的增多而提高。氧化后的复合材料的显微结构可以分为两个特征区域: 氧化反应区和未反应的物料区.其中氧化反应区又可以分为最外层的致密的富硅鳞片层和氧化反应的混合层。添加SiC会提高抗氧化性是因为最外层致密的富硅层阻止了氧气向里扩散。 关键字：陶瓷 腐蚀 高温性能 电子显微分析 1．引言 硼化锆（Zirconium diborides ，ZrB2)基复合材料由于其具有超高熔点（﹥3000℃），成为了一种重要的应用于超高温结构器件的优秀材料。硼化锆基陶瓷有一个很重要的问题就是高温氧化，这限制了其应用于高温氧化的环境。在空气中硼化锆受热会反应生成一层ZrO2和B2O3，B2O3有很高的蒸汽压特别是在1300℃以上会蒸发，因此，为了能在1300℃以上的氧化环境下使用就必需提高ZrB2的抗氧化性。 为了提高硼化锆基陶瓷的抗氧化性，一般通过添加含硅的化合物（例如：SiC、MoSi2）在1200℃以上以此形成硼硅酸盐玻璃层的保护。在ZrB2–SiC系统中在温度低于1300℃时主要产物为ZrO2、B2O3和SiO2，高于1300℃时随着B2O3液体完全蒸发产物变为ZrO2和SiO2。通常，氧化反应区域分为三层：（ⅰ）最外层的玻璃层（ⅱ）氧化表面下层（ⅲ）SiC耗尽ZrB2层。另一方面，对于ZrB2–MoSi2系统，MoSi2在大气中氧化而不是SiC，测试表明ZrB2–20%MoSi2在常压下干燥空气中700-1400℃就可以烧结。研究添加MoSi2提高抗氧化性是由于形成了SiO2层。氧化产物包括SiO2、ZrO2、ZrSO4, MoO4以及MoB，氧化反应区域包括富SiO2玻璃层，层下氧化层，以及MoB，ZrO2和SiO2混合区，取决于所处温度。这些研究表明，ZrB2氧化反应依赖于化物的组成，所处温度，以及特定温度下的保温时间，以及氧化气体中氧的含量。 近几年的研究表明ZrB2–MoSi2–SiC复合材料的弯曲强度和断裂韧性要优于单独的ZrB2–MoSi2复合材料和ZrB2–SiC复合材料。然而，对ZrB2–MoSi2–SiC复合材料的研究还很少。可以预见Zr B2–MoSi2–SiC复合材料的氧化性会与ZrB2–MoSi2复合材料和ZrB2–SiC复合材料不同。在本次研究中对55ZrB2–40MoSi2–5SiC ，40ZrB2–40MoSi2–20SiC两组材料热压烧结，在在1500℃干燥空气气氛下保温10小时。利用电子探针显微分析（EPMA）对材料的氧化进行定量表征氧化产物、反应化合物以及他们的分布。同样，不同含量SiC对氧化性的影响也进行了检验。 2.实验过程 2.1 氧化测试 研究中使用的材料是提前准备好的通过热压烧结的SiC–40vol% ZrB2 复合材料。为了既能研究ZrB2–MoSi2–SiC复合材料的抗氧化性又能研究添加SiC不同含量对抗氧化性的影响，在1800℃30MPa真空条件下热压30分钟制得SiC体积分数分别为5%和20%，MoSi2体积分数均为40%的两组ZrB2–MoSi2–SiC复相陶瓷。烧结过程的步骤细节均为常见报道所表述。两组试样被标记为ZMS5和ZMS20。 将热压烧结的复相陶瓷块体用金刚石切头切割成平均尺寸为5mm×2.5mm×2mm的试样。使用低于1um的金刚石研浆抛光试条，然后再在丙酮超声清洗，随后将试样炉子中在100℃下预氧化。氧化测试所用的为日本东京Nikkato公司生产的BFT-150-P型电炉,将试样在1500℃干燥空气气氛下保温10小时。加热与降温速率分别为20℃和10℃/min.使用分析天平（AB265-S）分别测量试样氧化前后的质量，精确至0.1㎎. 2.2 表征 使用X射线衍射确定陶瓷中反应前后的主要晶体物相。表面氧化使用扫描电镜(SEM)和能量色散X射线光谱仪(EDX)表征。为了检验氧化反应演变的过程，将试样切开一半，将其中一部分用环氧树脂镶嵌，用金刚石研浆研磨抛光直到1um。使用原型的波长色散型电子探针显微分析仪(WDS-EPMA)结合经济的场发射电子微探仪（FE-EPMA）进行横截面的观测。除此之外利用电子探针显微分析仪图谱分析分析横截面O, C, Si,