TiN太阳光谱选择性吸收薄膜特性的研究.docVIP

TiN太阳光谱选择性吸收薄膜的制备及其特性的研究 摘要：以直流反应磁控溅射的方法作为制备手段，选择钛（Ti）为靶材，以氩气作为工作气体、氮气作为反应气体在Si(111)基底上制备太阳光谱选择性吸收薄膜TiN,使之具有较好的光谱选择吸收特性。研究发现：在其它工艺参数保持不变的情况下，溅射气压在0.35-1.50Pa范围内，都能制备出（200）择优取向的立方相TiN.而当溅射气压为0.35Pa时沉寂的薄膜致密、均匀、色泽金黄，膜厚为132nm，结晶性最好，电阻率最低为33.8μΩ*cm（接近块体氮化钛电阻率）。在可见-近红外光区（波长400-1000nm）的平均吸收率a=0.83，最高红外反射率R=0.90。通过对膜层结构、膜厚、吸收率及反射率的分析，制备的TiN薄膜光谱选择性吸收特性良好，具有很高的应用价值。可用于太阳集热器的吸热表面，并可直接作为光热转换建筑材料。 0引言 近年来，太阳光谱选择性吸收薄膜的研制及其在工业上的应用成为热点。太阳光谱选择性吸收薄膜是中高温太阳集热器的核心部件，许多国家都在积极研究工艺简单、成本低廉、性能优良、稳定的中高温太阳光谱选择性吸收薄膜。氮化钛（TiN）薄膜是目前工业研究和应用最广泛的薄膜材料之一，其熔点高、热稳定性和抗腐蚀性好，并具有较高的硬度和较低的电阻率，因而被广泛关注。氮化钛薄膜由离子键、共价键和金属键组成，这使得氮化钛薄膜具有奇特的光