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拉晶工艺的相关知识一、与杂质有关的几个概念　杂质来源：杂质类型施主杂质受主杂质电中性杂质　杂质位置：杂质能级浅能级杂质深能级杂质　深能级杂质金在锗中的能级及杂质补偿　（1）当锗中有N型浅施主杂质时　（2）当锗中有P型浅受主杂质时　二、掺杂剂的选择　1、电学性质：原子半径、核外电子结构　尽量选择与锗、硅原子半径近似的杂质元素作为掺杂剂，以保证晶体生长的完整性　N型掺杂：V族　P型掺杂：III族　2、物理化学性质：固溶度、蒸发系数、分凝系数、扩散系数　杂质原子半径越大，特征原子构型与锗、硅 的越不同，它们在锗、硅中的固溶度越小。III，V族在锗，硅中固溶度大，快蒸发杂质的掺杂不宜在真空而应在保 护性气氛下进行，采用投杂法分凝系数远离 1 的杂质难于进行重掺杂。　三、根据杂质在晶体中的扩散系数选择　在高温工艺中，如扩散、外延，掺杂元素的扩散系数小些好　快扩散杂质：H，Li, Na, Cu, Fe, K, Au, He, Ag,　慢扩散杂质：Al,P,B,Ga, Tl, Sb，As　四、常用掺杂剂　Si N型：P P型：B　Ge N型：Sb P型：Ga　掺杂办法：共熔 投杂（体单晶生长中）　热扩散掺杂、离子注入掺杂（平面工艺中）、中子嬗变掺杂　五、掺杂量的计算（轻掺杂时）　1、只考虑杂质分凝时的掺杂计算　2、采用母合金投入计算母合金用量　3、母合金中杂质浓度Cm的求法　4、考虑坩埚污染及蒸