STMFZET外扩SRAM .docVIP

STM32F103ZET6 外部SRAM实验 STM32F103ZET6自带了64K字节的SRAM，对一般应用来说，已经足够了，不过在一些对内存要求高的场合，STM32自带的这些内存就不够用了。比如跑算法或者跑GUI等，就可能不太够用，所以战舰STM32开发板板载了一颗1M字节容量的SRAM芯片：IS62WV51216，满足大内存使用的需求。 本章，我们将使用STM32来驱动IS62WV51216，实现对IS62WV51216的访问控制，并测试其容量。本章分为如下几个部分： 42.1 IS62WV51216简介 42.2 硬件设计 42.3 软件设计 42.4 下载验证 42.1 IS62WV51216简介 IS62WV51216是ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc）公司生产的一颗16位宽512K（512*16，即1M字节）容量的CMOS静态内存芯片。该芯片具有如下几个特点： ? 高速。具有45ns/55ns访问速度。 ? 低功耗。 ? TTL电平兼容。 ? 全静态操作。不需要刷新和时钟电路。 ? 三态输出。 ? 字节控制功能。支持高/低字节控制。 IS62WV51216的功能框图如图42.1.1所示： 图42.1.1 IS62WV51216功能框图 图中A0~18为地址线，总共19根地址线（即2^19=512K，1K=1024）；IO0~15为数据线，总共16根数据线。CS2和CS1都是片选信号，不过CS2是高电平有效CS1是低电平有效；OE是输出使能信号（读信号）；WE为写使能信号；UB和LB分别是高字节控制和低字节控制信号； 战舰STM32开发板使用的是TSOP44封装的IS62WV51216芯片，该芯片直接接在STM32的FSMC上，IS62WV51216原理图如图42.1.2所示： 图42.1.2 IS62WV51216原理图 从原理图可以看出，IS62WV51216同STM32的连接关系： A[0:18]接FMSC_A[0:18] D[0:15]接FSMC_D[0:15] UB接FSMC_NBL1 LB接FSMC_NBL0 OE接FSMC_OE WE接FSMC_WE CS接FSMC_NE3 本章，我们使用FSMC的BANK1 区域3来控制IS62WV51216，关于FSMC的详细介绍，我们在第十八章已经介绍过，在第十八章，我们采用的是读写不同的时序来操作TFTLCD模块（因为TFTLCD模块读的速度比写的速度慢很多），但是在本章，因为IS62WV51216的读写时间基本一致，所以，我们设置读写相同的时序来访问FSMC。关于FSMC的详细介绍，请大家看第十八章和《STM32参考手册》。 IS62WV51216就介绍到这，最后，我们来看看实现IS62WV51216的访问，需要对FSMC进行哪些配置。步骤如下： 1）使能FSMC时钟，并配置FSMC相关的IO及其时钟使能。 要使用FSMC，当然首先得开启其时钟。然后需要把FSMC_D0~15，FSMCA0~18等相关IO口，全部配置为复用输出，并使能各IO组的时钟。 2）设置FSMC BANK1 区域3的相关寄存器。 此部分包括设置区域3的存储器的工作模式、位宽和读写时序等。本章我们使用模式A、16位宽，读写共用一个时序寄存器。 3）使能BANK1区域3。 最后，只需要通过FSMC_BCR寄存器使能BANK1，区域3即可。 通过以上几个步骤，我们就完成了FSMC的配置，可以访问IS62WV51216了，这里还需要注意，因为我们使用的是BANK1的区域3，所以HADDR[27:26]=10，故外部内存的首地址为0 42.2 硬件设计 本章实验功能简介：开机后，显示提示信息，然后按下KEY1按键，即测试外部SRAM容量大小并显示在LCD上。按下WK_UP按键，即显示预存在外部SRAM的数据。DS0指示程序运行状态。 本实验用到的硬件资源有： 1） DS0 2） KEY1WK_UP按键 3） 4） TFTLCD 5） IS62WV51216 IS62WV51216与STM32的各IO对应关系，请参考光盘原理图），接下来我们开始软件设计。 42.3 软件设计 打开上一章的工程，首先在HARDWARE文件夹下新建一个SRAM的文件夹。然后新建sram.c和sram. h两个文件，将他们保存在SRAM文件夹下，并将这个文件夹加入头文件包含路径。 打开sram.c文件，输入如下代码： #include sram.h #include usart.h //使用NOR/SRAM的 Bank1.sector3,地址位HADDR[27,26]=10 //对IS61LV25616/IS62WV25616