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微电子学概论第二章 庄庆德 2003.8 第二章 半导体物理和器件物理基础 2.5 MOS型晶体管 2.5.1 基本结构 2.5.2 MIS 2.5.3 直流特性 2.5.4　各种MOS晶体管 2.5.5　电容 基本结构（金属栅，n沟道）Metal Oxide Semiconductorn channe 2.5.2 MIS结构　　 Metal Insulator Semiconductor 2.5.2 MIS 2.5.2 MIS 2.5.2 MIS 2.5.2 MIS 2.5.2 MIS 2.5.3 直流特性 2.5.3 直流特性 2.5.3 直流特性 2.5.3 直流特性 2.5.3 直流特性 2.5.3 直流特性 2.5.3 直流特性 2.5.4 各种场效应晶体管 2.5.4 各种场效应晶体管 2.5.4 各种场效应晶体管 2.5.4 各种场效应晶体管 2.5.5 MOS晶体管电容 2.5.６ 双极与MOS比较 2.5.６ 双极与MOS比较 * * 2.5 MOS型晶体管 p-Si Source源） Gate栅 Drain （漏) n+ n+ n 氧化物 n Vg0 - - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + 吸引空穴多子， 意义不大 n n Vg0 + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - - - 吸引电子（少子），形成耗尽层 或反型层 + + + + + + + + + + 金属 氧化物 半导体 （p) 强反型：沟道处的反型载流子浓度＝体内多数载流子浓度 基区渡越 产生强反型所需要的栅电压称为阈电压Threshold Voltage 记为 VT Ef 基区渡越 SiO2 Ec Ei EF Ev 假想MIS SiO2中无电荷，金属半导体无功函数差 SiO2 Ec Ei EF Ev 实际MIS 能带弯曲 SiO2有正电荷，金属半导体存在功函数差 SiO2 平带电压 为了补偿能带弯曲 栅上加电压VFB,叫平带电压 VFB 基区渡越 SiO2 Ec Ei EF Ev 耗尽 SiO2中无电荷，金属半导体无功函数差 SiO2 Ec Ei EF Ev 实际MIS 能带弯曲 SiO2有正电荷，金属半导体存在功函数差 SiO2 强反型 弯曲2VF 这时的栅电压叫阈值电压 VT VF 强反型：沟道处的反型载流子浓度＝体内多数载流子浓度 产生强反型所需要的栅电压称为阈电压 （Threshold Voltage） 记为 VT 如何控制VT？ 发射 基区渡越 以下因素使 VT降低 (1)平带电压低 　氧化层中含有正电荷少，金属-硅的功函数差小 (2)VF小 　　半导体的杂质浓度低 (3)增大电容COX 氧化层薄 其中第2项是主要控制手段 发射 基区渡越 (1) Vg 的影响 当VgVT时，MOS晶体管源漏之间没有电流流过。 当VgVT时，MOS晶体管源漏之间有电流流过。 Vg越大，电流越大。 发射 (2) Vds 的影响(前提： VgVT) 当Vds较小时，线性电阻特性, 电阻值取决于Vg 因为这时，整个沟道长度范围内， Vds相对于VT电压变化不大。 耗尽层 沟道 源N+ 漏N+ Vds 接地 Vg 发射 (2) Vds 的影响(前提： VgVT) 当Vds增大，可能在漏附近，出现 Vg-Vds=VT,沟道被夹断。夹断处只有耗尽层，电阻很大。 Vds继续增加，电压消耗在夹断区，对沟道形状影响不大。源漏电流出现饱和。 耗尽层 沟道 源N+ 漏N+ Vds 接地 Vg 夹断现象 夹断点 发射 (2) Vds 的影响(前提： VgVT) Vds继续增加，电压消耗在夹断区，对沟道形状影响不大。源漏电流出现饱和。 耗尽层 沟道 源N+ 漏N+ Vds 接地 Vg 饱和现象 夹断点 发射 Vg=4V Vg=3V Vg=2V Vg=1V Vds/V 0 1 2 3 4 5 6 7 Ids/mA 6 2 0 4 线性区 饱和区 截止区 发射 线性区： 这里： μn 电子迁移率 Cox 栅氧化层电容 W/L 沟道的宽长比 VT 阈值电压 在这里，将初夹断的条件，VGS-VDS=VT代入，得到饱和区电流： 饱和区电流： 这就是萨方程。 跨导gm： 输入信号对输出信号的控制能力。 跨导增大的因素： 栅压大，阈值电压小，W/L大，栅氧化层