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电屏蔽效能磁屏蔽效能屏蔽效能( SE )屏蔽效能：屏蔽体的性质的定量评价。定义：或或E0、H0 —— 未加屏蔽时空间中某点的电（磁）场；E1、H1—— 加屏蔽后空间中该点的电（磁）场； 静电场屏蔽1 静电场的屏蔽 主动屏蔽: 被动屏蔽 接地防止电力线通过孔缝侵入屏蔽壳体内部 完全静电场屏蔽的必要条件： 1.完整的导体，2. 接地。空腔电场屏蔽的设计要点屏蔽体的材料以良导体为好，对厚度无什么要求屏蔽体的形状对屏蔽效能有明显的影响屏蔽体要靠近受保护的设备屏蔽体要有良好的接地涡流反磁场金属板高频磁场6.2.2磁场屏蔽1．原理 低频磁场屏蔽（f 100kHz） 利用高导磁率的铁磁材料（如铁、硅钢片、坡莫合金），对干扰磁场进行分路。 高频磁场屏蔽 利用低电阻的良导体中形成的涡电流产生反向磁通抑制入射磁场。3 、静磁场屏蔽例 无限长磁性材料圆柱腔的静磁屏蔽效能 应用分离变量法得可见 铁磁材料的磁导率越大屏蔽效能越高，屏蔽层的厚度增加也会加大屏蔽效能。但是增加屏蔽层的厚度的做法并不经济。最好采用多层屏蔽的方法。 R0RmH14、低频磁场屏蔽低频：100 kHz以下屏蔽原理：利用高磁导率的铁磁材料(例如铁、硅钢片，其磁导率约为 ）对骚扰磁场进行分路，把磁力线集中在其内部通过，限制在空气中大量发散。 H2 磁路方程H0H1R0H0磁力线集中在其内部 (Rm)通过H2Rm 5、 高频磁场屏蔽法拉第电磁感应定律，楞次定律，高频磁场的屏蔽采用的是低电阻率的良导体（铜、铝）屏蔽原理:利用电磁感应现象在屏蔽体表面所产生的涡流的反磁场来达到屏蔽的目的，即利用了涡流反向磁场对于原骚扰磁场的排斥作用，抑制或抵消屏蔽体外的磁场。H＝0涡流产生的反向磁场增强了金属板侧面的磁场使磁力线在金属板侧面绕行而过。 屏蔽是利用感应涡流的反磁场排斥原骚扰磁场而达到屏蔽 的目的，涡电流的大小直接影响屏蔽效果。屏蔽体电阻越小 产生的感应涡流越大而且屏蔽体自身的损耗也越小。 所以高频磁屏蔽材料需用良导体。 注：因为高频时铁磁材料的磁性损耗(包括磁滞损耗和涡流 损耗)很大，导磁率明显下降。 铁磁材料的屏蔽不适用于高频磁场屏蔽。 屏蔽盒上缝的方向必须顺着涡流方向并且要尽可能地缩小缝 的宽度。如果开缝切断了涡流的通路则将大大影响金属盒的 屏蔽效果。另一种解释，趋肤效应－热损耗磁场屏蔽的设计要点屏蔽体应选用高导磁率的材料，但应防止磁饱和尽量缩短磁路长度，增加屏蔽体的截面积（厚度）被屏蔽物体不要紧贴在屏蔽体上注意屏蔽体的结构设计，缝隙或长条通风孔循着磁场方向分布对于强磁场的屏蔽可采用多层屏蔽，防止发生磁饱和对于多层屏蔽，应注意磁路上的彼此绝缘6.2.3 电磁屏蔽时变电磁场中，电场和磁场总是同时存在的，通常所说的屏蔽，多指电磁屏蔽。电磁屏蔽是指同时抑制或削弱电场和磁场。电磁屏蔽一般也是指高频交变电磁屏蔽(10kHz ~ 40GHz)。在频率较低（近场区，近场随着骚扰源的性质不同，电场和磁场的大小有很大差别。 高电压小电流骚扰源以电场为主（电准稳态场－忽略了感应电压），磁场骚扰较小（有时可忽略）。 低电压高电流骚 扰 源 以 磁 场 骚 扰 为 主（磁准稳态场－忽略了位移电流），电场骚扰较小。随着频率增高，电磁辐射能力增加，产生辐射电磁场，并趋向于远场骚扰。远场骚扰中的电场骚扰和磁场骚扰都不可忽略，因此需要将电场和磁场同时屏蔽，即电磁屏蔽。 实心材料屏蔽效能SE ＝ R1 ＋ R2 ＋ A＋B入射＝ R＋ A＋BAR1R－ 反射损耗A－吸收损耗B－多次反射修正因子透射R2反射B场强吸收损耗AR2R1泄漏距离 实心材料对电磁波的反射和吸收损耗使电磁能量被大大衰减，将电场和磁场同时屏蔽，即电磁屏蔽。屏蔽效能的频率特性良导体对电场的屏蔽性能优于对平面波良导体对平面波的屏蔽性能优于对磁场综合屏蔽效能(0.5mm铝板)设薄膜厚度为t，电磁波在薄膜中的波长为 ，当 ，称这种屏蔽层为薄膜屏蔽。（3）薄膜屏蔽：工程塑料机箱具有造型美观、加工方便、质量轻等优点。如何使机箱具有屏蔽作用？通过喷涂、真空沉积以及粘贴等技术在机箱上包裹一层导电薄膜。由于薄膜屏蔽导电层很薄，吸收损耗可以忽略，屏蔽效能主要由反射损耗和多次反射修正因子确定，可以按金属平板屏蔽的相关公式进行计算。2.孔缝对屏蔽效能的影响实际机箱上有许多泄漏源:信号线的出入口，电流线的出入口，通风散热孔，接缝处的缝隙等。设各泄漏因素的屏蔽效能为 ，即1、 综合屏蔽效能的计算公式总泄漏场故例2 设某一频率下，机壳屏蔽材料本身有110dB的屏蔽效能， 各泄漏因素造成屏蔽效能为：（1）滤波与连接器面板： 101dB ；（2）通风孔92dB;（3）门泄