中小功率晶体三极管的测量.docVIP

中小功率晶体三极管的测量功率在1W以下的，一般称为中、小功率晶体三极管。目前中小功率晶体三极管品种较多，有的型号正处在新旧交替之中，为了清楚地了解其性能和好坏，使用前应进行必要的测量。如果是业余品，那就更需要进行测量了。??? 1．用万用表判别管脚??? 一般来说，当知道晶体三极管的型号后，就可以从手册中查到管脚的排列情况。当你不知道型号，又无法辨认三个管脚时(例如国外有些塑封管与国内排列就不一样)，可用万用表的电阻挡来判别其管脚(电阻挡用R×100Ω档或R xlkΩ档)。??? (1)基极判别无论PNP管还是NPN管，内部都有两个PN结，即集电结和发射结。根据PN结的单向导电性是很容易把基极判别出来的。判别方法如图1—87所示。 ??? 现以PNP管为例，先假定某一管脚为基极，接以红表棒，黑表棒分别接其余两个管脚，若阻值均较小，再将红、黑表棒对调(即黑表棒接原先假定的基极)。重复测量——次，若阻值均较大，则原先假定是正确的，否则是铅误的。如果黑表棒接原先假定的基极，红表棒分别接其余两个管脚，若阻值均较小，基极判别仍是对的，而且可以确定该被测管是NPN管。??? (2)发射权和集电极判别??? 当判别了基极以后，其余两个管脚不是发射极就是集电极，为了进一步判别它们，先讲一下反向运用β的问题。在正常情况下，晶体管不反向运用(即发射极当集电极，集电极当发射极)，因为在反向运用时，β很低。根据正反向运用β的明显差异，就可以判别哪个是发射极，哪个是集电极。测量方法如图l—88所示。 ??? 先假定红表棒接的是集电极c，黑表棒接的是发射极c,再用手经住b、e两个极，但不能使b、c两个极直接接触，并读出其阻值。然后再把红、黑表棒对调，进行第二次测量，将其读数进行比较，若第一次阻值小，则第—次的假定是对的，即红表棒接的是集电极。。现以图1—89来说明其理由。图1—69(a)所示为第一次用手捏住又使两个极不直接接触的情况，犹如在基极—集电极上串接了一只电阻R手，这样管子处于正向运用，因此β较大，所以电阻小了。 ??? 图l—89(b)所示为第二次测量情况，管子处于反向运用，β值较小，因此电阻值就大了。这就是用简单方法来判别晶体管的三个极。但是为了避免接错而损坏管子，若R手用一只固定电阻R(约100kΩ)代替串进去测量，那得出的结论就会更正确。如图1—90那样．其原理也完全一样。 ??? 2.用万用表判别硅管还是锗管??? 通过上面的测量方法，已知道晶体三极管的三个极，同时知道了是PNP型还是NPN型管，但不知道是用什么材料制造的。因为同样的PNP型三极管，有用锗材料制造的如3AX、3AG型等和用硅材料制造的如3CG型等．这时，只要测量一下其正向特性就能方便地判别出来。因为硅管的正间压降一般为0.6一0.7V,而锗管的正向压降是0.2一0.3V左右，所以只要按图1—91所示测量一下UBE的数值就可以了。 ??? 测量后，若UBE的数值为0.5-0.9V即为硅管若UBE的数值为0.2-0.3V即为锗管。图1—91右边为两种材料晶体管的输入特性曲线，从图中就能看出锗管与硅管的正向特性是有较大的差异的。若对NPN管进行测量，只要把凡和电压表的极性反接一下，视其压降数值范围来判别是锗材料还是硅材料(如锗材料的NPN管3Bx型和硅材料的NPN管3DG型)。??? 3．用万用衰判别是高频管还是低频管??? 在判别硅管和锗管的基础上，再来判别是高频管还是低频管就比较方便了。一般NPN型的硅管都是高频管，所以不需要再判别了。如果是锗管，可以进一步根据锗高频管和低频管的发射结反向击穿电压BVEBO相差很大的特点来加以判别。一般锗高频管的BVEBO在1V左右，很少有超过5V的，锗低频管的BVEBO一般在10V以上。??? 测量时，在基极上串一个20kΩ的限流电阻，采用12V直流电源，正端接在20kΩ电阻上，负端接在锗管的发射极上。这时可测量锗管eb间的电压，如果是高频管，这时管子已接近于击穿，电压表读数一般只有lV左右，或最多不超过5V。如果电压表的读数在5V以上，则表明被测管是低频管。但需要说明一下，有的高频锗管BVzBo也有超过10V的，如3AG38、3AG40、3AG66~70等，但这种情况毕竟不是很多，所以上面讲的测量方法在一般的情况下还是比较实用的。 ??? 4．用万用表测量三极管穿透电流ICEO??? 穿透电流ICEO是指基极开路时，集电极和发射极间的反向漏电流。如果使用了ICEO大的晶体三极管，管子的耗散功率增大，热稳定性差，而且调整集电极电流IC很因难，噪声也大。测量方法可见图1—92所示。 测量时，万用表置于直流1mA档，直流电源用4．5V(三节1．5V电池)，接在被测管上，万用表上的读数即为穿透电流IC